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(2) JP 2021-68820 A 2021.4.301020304050【特許請求の範囲】【請求項１】　半導体基板と、　前記半導体基板上に設けられ、活性層を含むレーザ部と、　前記半導体基板上に設けられ、前記レーザ部からのレーザ光を吸収する光吸収層を含む光変調部と、を備え、　前記光吸収層は、第１光吸収層と第２光吸収層とを備え、　前記活性層、前記第１光吸収層及び前記第２光吸収層は、光導波方向に順に配置されており、　前記第１光吸収層が、フォトルミネッセンス測定によって得られる第１波長を有し、　前記第２光吸収層が、フォトルミネッセンス測定によって得られる第２波長を有し、　前記第２波長が前記第１波長よりも大きい、半導体レーザ素子。【請求項２】　前記第２波長が、前記光導波方向において前記第２光吸収層の入射端から出射端まで単調増加している、請求項１に記載の半導体レーザ素子。【請求項３】　前記光導波方向における前記第１光吸収層の長さをＬ１、前記光導波方向における前記第２光吸収層の長さをＬ２とした場合、Ｌ２／（Ｌ１＋Ｌ２）の値が０．０５以上である、請求項１又は請求項２に記載の半導体レーザ素子。【請求項４】　前記光導波方向における前記第２光吸収層の出射端が、前記半導体レーザ素子の出射端となっている、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。【請求項５】　活性層を含むレーザ部と、前記レーザ部からのレーザ光を吸収する光吸収層を含む光変調部とを備える半導体レーザ素子の製造方法であって、　第１方向に順に配列された第１領域、第２領域及び第３領域を含む主面を有する半導体基板の前記主面上に、前記活性層のための第１半導体層を形成する工程と、　前記第１半導体層のうち前記第１領域上に位置する第１部分上に、前記活性層のための第１マスクパターンを形成し、前記第１半導体層のうち前記第３領域上に位置する第２部分上に、第２マスクパターンを形成する工程と、　前記第１マスクパターン及び前記第２マスクパターンを用いて、前記第１半導体層のうち前記第２領域上に位置する第３部分をエッチングする工程と、　前記第３部分をエッチングした後、前記第１マスクパターン及び前記第２マスクパターンを用いて、前記第２領域上に、前記光吸収層のための第２半導体層を成長する工程と、を含む、半導体レーザ素子の製造方法。【発明の詳細な説明】【技術分野】【０００１】　本開示は、半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法に関する。【背景技術】【０００２】　特許文献１は、レーザ部と電界吸収型の光変調部とを備える半導体レーザ素子を開示する。【先行技術文献】【特許文献】【０００３】【特許文献１】特開２０１１－１５５１５７号公報【特許文献２】特開２０１３－５１３１９号公報【発明の概要】