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188宝金博页面版: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD
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内容提示: 1020304050JP 7082231 B2 2022.6.7 (2)前記導電性組成物が、前記導電性組成物の質量に対して、前記銀微粒子(A)を5~50 質量%、前記金属粒子(B)を35~85質量%、および(D)バインダー樹脂を0.5 ~10質量%含有する、請求項2から4までのいずれか1項に記載の接合方法。【請求項6】前記導電性組成物を焼結する際の昇温速度が、1~10℃/分である、請求項1から5ま でのいずれか1項に記載の接合方法。【請求項7】導電性フィラーおよび樹脂粒子を含有する導電性組成物を用いて導電性焼結部もしくは接 合部を製造する方法であって、前記導電性組成物は、前記樹脂粒子として、粒子径分布の 50%平均粒子径(D50)が2~15μmである...
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上传日期:2023-08-19 10:21:42
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1020304050JP 7082231 B2 2022.6.7 (2)前記導電性組成物が、前記導電性組成物の質量に対して、前記銀微粒子(A)を5~50 質量%、前記金属粒子(B)を35~85質量%、および(D)バインダー樹脂を0.5 ~10質量%含有する、請求項2から4までのいずれか1項に記載の接合方法。【請求項6】前記導電性組成物を焼結する際の昇温速度が、1~10℃/分である、請求項1から5ま でのいずれか1項に記載の接合方法。【請求項7】導電性フィラーおよび樹脂粒子を含有する導電性組成物を用いて導電性焼結部もしくは接 合部を製造する方法であって、前記導電性組成物は、前記樹脂粒子として、粒子径分布の 50%平均粒子径(D50)が2~15μmである樹脂粒子(C)を、前記導電性組成物 の質量に対して0.1~10質量%含有し、焼結前の前記樹脂粒子(C)の最大フェレー 径に対する焼結後の前記樹脂粒子(C)の最大フェレー径の変化率が0.9以上1.20 未満となるように前記導電性組成物を焼結するステップを含み、前記焼結の際の温度が8 0℃以上300℃以下であり、前記導電性組成物は、金属を被覆した金属被覆樹脂粒子を 含まない、前記製造方法。【請求項8】前記導電性フィラーとして、(A)粒子径分布の50%平均粒子径(D50)が10~3 00nmの銀微粒子と、(B)粒子径分布の50%平均粒子径(D50)が0.5~10 μmの金属粒子を含有する、請求項7に記載の製造方法。【請求項9】前記樹脂粒子(C)を構成する樹脂は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂およびシリコーン樹 脂の群から選択される、請求項7または8に記載の製造方法。【請求項10】前記熱可塑性樹脂が、ポリオレフィンおよびポリアミドの群から選択される、請求項9に 記載の製造方法。【請求項11】前記導電性組成物が、前記導電性組成物の質量に対して、前記銀微粒子(A)を5~50 質量%、前記金属粒子(B)を35~85質量%、および(D)バインダー樹脂を0.5 ~10質量%含有する、請求項8から10までのいずれか1項に記載の製造方法。【請求項12】前記導電性組成物を焼結する際の昇温速度が、1~10℃/分である、請求項7から11 までのいずれか1項に記載の製造方法。【請求項13】導電性フィラーおよび樹脂粒子を含有する焼結部もしくは接合部であって、前記焼結部も しくは接合部は、請求項1から6までのいずれか1項に記載の接合方法または請求項7か ら12までのいずれか1項に記載の製造方法によって得られるものであり、前記焼結部も しくは接合部の断面積に対して、前記導電性フィラーの占める割合が60~95面積%で あり、前記樹脂粒子の占める割合が1~35面積%であり、前記樹脂粒子および前記導電 性フィラー以外の成分と空隙との占める割合が4~25面積%であり、かつ前記樹脂粒子 の平均粒子径が2~15μmである、焼結部もしくは接合部。【請求項14】請求項13に記載の焼結部もしくは接合部を備えている部材。【発明の詳細な説明】【技術分野】【0001】本発明は、導電性組成物、導電性焼結部、導電性組成物が用いられている焼結部もしくは 接合部を備えている部材、部材を接合する方法および導電性焼結部の製造方法に関し、特 に、電子部品、たとえば車載用または通信機器用の電子部品に適用する導電性組成物、な らびに前記導電性組成物を焼結することによって得られた焼結部を備えた電子部品に関す る。
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