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188宝金博页面版: SEMICONDUCTOR PHOTO DETECTOR
内容提示： (2) JP 2021-106196 A 2021.7.261020304050【特許請求の範囲】【請求項１】 互いに対向する第一主面と第二主面とを有している第一導電型のシリコン基板と、 互いに対向する第三主面と第四主面とを有していると共に、前記第三主面が前記第一主面と対向するように前記シリコン基板上に配置されているポリシリコン層と、を備え、 前記シリコン基板は、 前記第一主面の一部を含むと共に、第二導電型の第一半導体領域が形成されている第一領域と、 前記第一主面の別の一部を含むと共に、第一導電型の第二半導体領域が形成されている第二領域と、を...
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