188宝金博页面版

(2) JP 2021-12897 A 2021.2.41020304050【特許請求の範囲】【請求項１】　絶縁板の上面に回路パターンが形成された絶縁回路基板と、　前記回路パターンの上面に配置された半導体素子と、　前記絶縁板の下面に配置された第１放熱板と、　前記第１放熱板の下面を露出して前記絶縁回路基板、前記半導体素子、及び前記第１放熱板の周囲を囲うケース部材と、　前記半導体素子の上面側に所定隙間を空けて配置される第２放熱板と、を備え、　前記ケース部材は、前記第２放熱板の厚みに対応した凹部を有し、　前記第２放熱板は、少なくとも一部が前記凹部に係合することを特徴とする半導体モジュール。【請求項２】　前記ケース部材によって規定される空間内に充填され、少なくとも前記半導体素子と前記第２放熱板との間を封止する封止樹脂を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。【請求項３】　請求項１又は請求項２に記載の半導体モジュールと、　前記第１放熱板の露出面に取り付けられる冷却器と、を備え、　前記第２放熱板は、前記冷却器に接続されることを特徴とする半導体装置。【請求項４】　前記第２放熱板に対向配置される制御ボードを更に備え、　前記半導体モジュールは、前記ケース部材の外面から前記制御ボードに向かって突出する端子部材を備え、　前記制御ボードは、前記第２放熱板との間に所定隙間を形成して前記端子部材と接続されることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。【請求項５】　前記第２放熱板は、　　前記半導体素子の上方を覆う平板部と、　　前記平板部の端部に設けられ、前記冷却器に当接可能な固定部と、を有し、　前記固定部は、ボルトを介して前記冷却器に固定されることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導体装置。【請求項６】　前記平板部は、前記半導体素子との間に配置される絶縁層を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。【請求項７】　絶縁回路基板の周囲を囲うケース部材を準備する準備工程と、　前記ケース部材に放熱面を露出して第１放熱板及び前記絶縁回路基板を配置する基板配置工程と、　前記絶縁回路基板の上面に半導体素子を配置する半導体素子配置工程と、　前記半導体素子を覆うように第２放熱板を配置する第２放熱板配置工程と、　前記ケース部材によって規定される空間内に封止樹脂を充填する封止工程と、を実施し、　前記ケース部材は、前記第２放熱板の厚みに対応した凹部を有し、　前記第２放熱板配置工程において、前記第２放熱板は、少なくとも一部が前記凹部に係合することで前記半導体素子との間に所定隙間を空けて配置され、　前記封止工程において、少なくとも前記半導体素子と前記第２放熱板との間が封止されることで前記ケース部材と前記第２放熱板とが固定されることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。【発明の詳細な説明】【技術分野】