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(2) JP 2021-36596 A 2021.3.41020304050【特許請求の範囲】【請求項１】　反応容器と、　前記反応容器の側壁外周に設けられたコイルと、　前記反応容器の内側の容器上端面に設けられたガス導入口と、　前記反応容器内であって前記ガス導入口と前記コイルの上端の間に設けられ、前記容器上端面に対向する対向面を有するガス流路形成部と、　前記ガス流路形成部の上端の外縁と前記反応容器の内周面との間に、前記ガス流路形成部の上端の外縁を囲むように形成された第１の間隙と、　前記ガス流路形成部の下端の外縁と前記反応容器の内周面との間に、前記ガス流路形成部の下端の外縁を囲むように形成された第２の間隙と、　前記反応容器の下端方向に設けられた基板処理室と、を有し、　前記ガス流路形成部は、前記ガス導入口から供給されたガスが、前記容器上端面と前記対向面との間を流れた後、前記第１の間隙及び前記第２の間隙を通過し、前記ガス流路形成部の下方において前記反応容器の内周面に沿って略垂直に流れるガス流路を形成する、　基板処理装置。【請求項２】　前記容器上端面に対向する前記対向面は、前記容器上端面に対して５ｍｍ以下の距離で対向している、請求項１に記載の基板処理装置。【請求項３】　前記容器上端面に対向する前記対向面は、容器上端面に対して１ｍｍ以上の距離で対向している、請求項２に記載の基板処理装置。【請求項４】　前記ガス流路形成部の上端と下端の間の距離は３０ｍｍ以上である、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。【請求項５】　前記第１の間隙の幅と前記第２の間隙の幅は等しい、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。【請求項６】　前記ガス流路形成部は孔の無い形状を有している請求項１～５のいずれか１項に記載の基板処理装置。【請求項７】　反応容器と、　前記反応容器の側壁外周に設けられたコイルと、　前記反応容器の内側の容器上端面に設けられたガス導入口と、　前記反応容器内であって前記ガス導入口と前記コイルの上端の間に設けられ、前記容器上端面に対向する対向面を有するガス流路形成部と、　前記ガス流路形成部の上端の外縁と前記反応容器の内周面との間に、前記ガス流路形成部の上端の外縁を囲むように形成された第１の間隙と、　前記ガス流路形成部の下端の外縁と前記反応容器の内周面との間に、前記ガス流路形成部の下端の外縁を囲むように形成された第２の間隙と、　前記反応容器の下端方向に設けられた基板処理室と、を有し、　前記ガス流路形成部は、前記ガス導入口から供給されたガスが、前記容器上端面と前記対向面との間を流れた後、前記第１の間隙及び前記第２の間隙を通過し、前記ガス流路形成部の下方において前記反応容器の内周面に沿って略垂直に流れるガス流路を形成する基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、　前記ガス導入口から前記反応容器内へ前記ガスを導入する工程と、　前記コイルに高周波電力を供給することによって、前記反応容器内に前記ガスのプラズ