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188宝金博页面版: SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
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内容提示: (2) JP 2021-150746 A 2021.9.271020304050【特許請求の範囲】【請求項1】 入力段と、第1ノード及び第2ノードを介して前記入力段に電気的に接続された出力段とを有する入力回路を備え、 前記入力段は、 入力信号をゲートで受ける第1のトランジスタと、 参照信号をゲートで受ける第2のトランジスタと、 前記第1のトランジスタのドレイン側に配された第3のトランジスタと、 前記第2のトランジスタのドレイン側に配された第4のトランジスタと、 前記第3のトランジスタのゲートと前記第1のノードとの間に電気的に接続された第1の時定数調整回路と、 前記第4の...
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上传日期:2023-08-19 10:21:06
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(2) JP 2021-150746 A 2021.9.271020304050【特許請求の範囲】【請求項1】 入力段と、第1ノード及び第2ノードを介して前記入力段に電気的に接続された出力段とを有する入力回路を備え、 前記入力段は、 入力信号をゲートで受ける第1のトランジスタと、 参照信号をゲートで受ける第2のトランジスタと、 前記第1のトランジスタのドレイン側に配された第3のトランジスタと、 前記第2のトランジスタのドレイン側に配された第4のトランジスタと、 前記第3のトランジスタのゲートと前記第1のノードとの間に電気的に接続された第1の時定数調整回路と、 前記第4のトランジスタのゲートと前記第2のノードとの間に電気的に接続された第2の時定数調整回路と、を有する半導体集積回路。【請求項2】 前記第1の時定数調整回路は、負荷の値が可変であり、 前記第2の時定数調整回路は、負荷の値が可変である請求項1に記載の半導体集積回路。【請求項3】 前記第1の時定数調整回路は、 一端が前記第3のトランジスタのゲートに電気的に接続された第1の容量性素子と、 前記第1の容量性素子の他端に電気的に接続された第1の制御ノードと、を有し、 前記第2の時定数調整回路は、 一端が前記第4のトランジスタのゲートに電気的に接続された第2の容量性素子と、 前記第2の容量性素子の他端に電気的に接続された第2の制御ノードと、を有する請求項2に記載の半導体集積回路。【請求項4】 前記第1の時定数調整回路は、 一端が前記第3のトランジスタのゲートに互いに並列に接続された複数の第1の容量性素子と、 それぞれが前記第1の容量性素子の他端に電気的に接続された複数の第1の制御ノードと、を有し、 前記第2の時定数調整回路は、 一端が前記第4のトランジスタのゲートに互いに並列に接続された複数の第2の容量性素子と、 前記複数の第2の容量性素子の他端に電気的に接続された複数の第2の制御ノードと、を有する請求項2に記載の半導体集積回路。【請求項5】 前記第1の容量性素子は、 ゲートが前記第3のトランジスタのゲートに接続され、ドレイン及びソースが前記第1の制御ノードに接続された第5のトランジスタを有し、 前記第2の容量性素子は、 ゲートが前記第4のトランジスタのゲートに接続され、ドレイン及びソースが前記第2の制御ノードに接続された第6のトランジスタを有する請求項3又は4に記載の半導体集積回路。
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