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(2) JP 2021-70230 A 2021.5.61020304050【特許請求の範囲】【請求項１】　基板上にレジストを形成する工程と、　前記基板上及び前記レジスト上に第１蓄熱層を形成する工程と、　前記基板上、前記レジスト上、及び前記第１蓄熱層上に粘着層を備える有機系シートを形成する工程と、　前記有機系シートを剥離して、前記レジスト、及び前記第１蓄熱層の一部を除去して第２蓄熱層を形成する工程と、を有する蓄熱層の形成方法。【請求項２】　前記レジストは、複数形成されている請求項１に記載の蓄熱層の形成方法。【請求項３】　前記第２蓄熱層の幅は、前記レジストの一と前記レジストの他の一との間隔と等しい請求項２に記載の蓄熱層の形成方法。【請求項４】　前記第２蓄熱層の幅は、３００～１０００μｍである請求項１～３のいずれか１項に記載の蓄熱層の形成方法。【請求項５】　前記レジストと重畳する領域における第１蓄熱層が除去される請求項１～４のいずれか１項に記載の蓄熱層の形成方法。【請求項６】　前記第２蓄熱層は、溝を有する請求項１～５のいずれか１項に記載の蓄熱層の形成方法。【請求項７】　前記基板は、単結晶半導体からなる請求項１～６のいずれか１項に記載の蓄熱層の形成方法。【請求項８】　前記単結晶半導体は、シリコンからなる請求項７に記載の蓄熱層の形成方法。【請求項９】　基板上に蓄熱層を形成する工程と、　前記蓄熱層上に抵抗体層を形成する工程と、　前記抵抗体層上に配線を形成する工程と、　前記基板上、前記蓄熱層上、前記抵抗体層上、及び前記配線上に保護膜を形成する工程と、を有し、　前記蓄熱層は、　前記基板上にレジストを形成する工程と、　前記基板上及び前記レジスト上に第１蓄熱層を形成する工程と、　前記基板上、前記レジスト上、及び前記第１蓄熱層上に粘着層を備える有機系シートを形成する工程と、　前記有機系シートを剥離して、前記レジスト、及び前記第１蓄熱層の一部を除去する工程を経て形成される、サーマルプリントヘッドの製造方法。【請求項１０】　前記レジストは、複数形成されている請求項９に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。【請求項１１】　前記蓄熱層の幅は、前記レジストの一と前記レジストの他の一との間隔と等しい請求項１０に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。【請求項１２】　前記蓄熱層の幅は、３００～１０００μｍである請求項９～１１のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。【請求項１３】