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    188宝金博页面版: METHOD FOR FORMING OHMIC CONTACT TO P-TYPE SILICON CARBIDE

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    内容提示： (2) JP 2021-125685 A 2021.8.301020304050【特許請求の範囲】【請求項１】。鹦吞炕曀貙婴丐违`ミックコンタクトを形成するための方法であって、　第１の主面（１８）と前記第１の主面（１８）の反対側の第２の主面（１９）とを有するｐ型炭化珪素層（１）を提供するステップと、　前記ｐ型炭化珪素層（１）に前記第１の主面（１８）から第１のイオン（３１）および第２のイオン（３２）を注入して、前記第１の主面（１８）に注入層（１１）を形成するステップとを含み、　前記ｐ型炭化珪素層（１）に前記イオンを注入するステップは、プラズマ浸漬イオン注入により行われることを特徴とし、前記ｐ型炭化珪素層（１）は前記第１のイオン（３１）および前記第２のイオン（３２）を含むプラ...

    文档格式：PDF | 页数：16 | 浏览次数：8 | 上传日期：2023-08-19 04:42:50 | 文档星级：
    (2) JP 2021-125685 A 2021.8.301020304050【特許請求の範囲】【請求項１】。鹦吞炕曀貙婴丐违`ミックコンタクトを形成するための方法であって、　第１の主面（１８）と前記第１の主面（１８）の反対側の第２の主面（１９）とを有するｐ型炭化珪素層（１）を提供するステップと、　前記ｐ型炭化珪素層（１）に前記第１の主面（１８）から第１のイオン（３１）および第２のイオン（３２）を注入して、前記第１の主面（１８）に注入層（１１）を形成するステップとを含み、　前記ｐ型炭化珪素層（１）に前記イオンを注入するステップは、プラズマ浸漬イオン注入により行われることを特徴とし、前記ｐ型炭化珪素層（１）は前記第１のイオン（３１）および前記第２のイオン（３２）を含むプラズマ（３）に浸漬され、前記第１のイオン（３１）はイオン化されたアルミニウム原子であり、前記第２のイオン（３２）は前記第１のイオン（３１）とは異なる、ｐ型炭化珪素層へのオーミックコンタクトを形成するための方法。【請求項２】　前記ｐ型炭化珪素層（１）に前記イオンを注入するステップは、　封入チャンバ（２）内に前記ｐ型炭化珪素層（１）を位置決めするステップと、　アルミニウムを含む原料から、前記ｐ型炭化珪素層（１）が浸漬される、前記第１のイオン（３１）および前記第２のイオン（３２）を含む前記プラズマ（３）を生成するステップと、　次いで、前記プラズマ（３）を生成するステップとは独立して、前記ｐ型炭化珪素層（１）と接地電位（８）との間に負の電圧を印加して、前記プラズマ（３）中の前記第１のイオン（３１）および前記第２のイオン（３２）を、前記ｐ型炭化珪素層（１）を取り囲む前記プラズマ（３）から前記ｐ型炭化珪素層（１）に向かって、前記第１のイオン（３１）および前記第２のイオン（３２）を前記ｐ型炭化珪素層（１）に注入するのに十分なイオンエネルギーで加速するステップとを含む、請求項１に記載の方法。【請求項３】　前記原料は、アルミニウムおよび炭素を含む気体である、請求項２に記載の方法。【請求項４】　前記気体は、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリ－１－ブチルアルミニウムおよびトリメチル（トリ－ｓｅｃ－ブトキシ）アルミニウムのうちの少なくとも１つを含む、請求項３に記載の方法。【請求項５】　前記第２のイオン（３２）は、炭素および水素のうちの少なくとも１つを含み、前記プラズマ（３）中の炭素および水素のうちの少なくとも１つの濃度は、前記プラズマ（３）中のアルミニウムの濃度と同じであるかまたはそれより高い、先行する請求項のいずれか１項に記載の方法。【請求項６】　前記プラズマ（３）は窒素および塩素を含み、前記プラズマ中の窒素の濃度は前記プラズマ（３）中のアルミニウムの濃度の１０％以下であり、前記プラズマ（３）中の塩素の濃度は前記プラズマ中のアルミニウムの濃度未満である、請求項５に記載の方法。【請求項７】　前記加速されたイオンは１０ｋｅＶ未満のエネルギーで前記第１の主面（１８）に衝突する、請求項２～６のいずれか１項に記載の方法。【請求項８】　前記注入層（１１）は、少なくとも１?１０ １８ ｃｍ －３ の最小アルミニウム濃度を有するように形成される、先行する請求項のいずれか１項に記載の方法。【請求項９】　前記イオン注入ステップの後に、前記第１の主面（１８）上に、前記注入層（１１）と接触して、金属層（２１）を形成するステップをさらに含む、先行する請求項のいずれか

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