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1020304050JP 7100861 B2 2022.7.14 (2)前記基板に形成されて前記伝送路と接続し、千鳥配置された複数の前記第１貫通孔を有し 、前記第１貫通孔により設定された前記第１屈折率により、通過する前記テラヘルツ波信 号に対して、前記伝送路から伝送された平行波の前記テラヘルツ波信号を収束させる又は 、前記第１屈折率により前記テラヘルツ波信号の反射信号を拡散して、平行波に変換する 第２平面レンズ部と、前記基板に形成されて前記第２平面レンズ部と接続し、収束された前記テラヘルツ波信号 の周波数により設定された幅を有し、前記第２平面レンズ部から入力された前記テラヘル ツ波信号を出力し、又は外部から入力された前記テラヘルツ波信号の反射信号を前記第２ 平面レンズ部へ伝搬する第２導波路と、 前記第２平面レンズ部と前記第２導波路が接合する第２接合箇所に配置され、前記第２ 導波路から前記第２平面レンズ部に向かい、徐々に大径化する複数の前記第４貫通孔を有 し、前記第２平面レンズ部と前記第２導波路間のインピーダンス整合を行う第２接合部と、を備える、請求項１に記載の伝送デバイス。【請求項３】前記伝送路内に、誘電体、半導体、導電体、及び磁性体の材料のうちの何れか１つの前記 材料又は、２つ以上の前記材料を組み合わせた材料を用いて、複数の第２貫通孔の格子配 置による帯状に形成され、前記帯状の領域における前記第２貫通孔による気体の含有率に より設定された第２屈折率による反射又は透過により、前記第１平面レンズ部から伝送さ れる平行波の前記テラヘルツ波信号を前記第２平面レンズ部に伝送するビームスプリッタ 部を有し、前記ビームスプリッタ部は、単体で形成されて前記基板と一体化される又は、前記基板内 で前記伝送路と共に形成される、請求項２に記載の伝送デバイス。【請求項４】前記第１導波路、前記第１平面レンズ部及び、前記第１接合部は、前記テラヘルツ波信号 を供給する第１ポート及び、前記第２導波路、前記第２平面レンズ部及び、前記第２接合部は、前記テラヘルツ波信号 を送受する第２ポートを構成し、さらに、前記第２ポートから取り込まれて、前記ビームスプリッタ部を透過又は反射した前記平行 波の前記テラヘルツ波信号の前記反射信号を円弧状に収束する第３平面レンズ部と、前記 第３平面レンズ部により収束された前記テラヘルツ波信号の反射信号を受信し、閉じ込め て伝搬する第３導波路と、前記第３平面レンズ部と前記第３導波路が接合する第３接合箇 所に配置され、前記第３導波路から前記第３平面レンズ部に向かい、徐々に大径化する複 数の前記第４貫通孔を有し、前記第３平面レンズ部と前記第３導波路間のインピーダンス 整合を行う第３接合部とを含み、信号受信を行う第３ポートを備える、請求項３に記載の 伝送デバイス。【請求項５】前記第１導波路の両側面に前記第１貫通孔より大径化した複数の第３貫通孔が千鳥配置さ れ、前記第１導波路の両側面が半円筒形の前記第３貫通孔で覆われて構成され、前記テラ ヘルツ波信号を前記第１導波路に閉じ込めて伝搬させる第１フォトニック結晶導波路と、前記第２導波路の両側面に前記第１貫通孔より大径化した複数の第３貫通孔が千鳥配置さ れ、前記第２導波路の両側面が半円筒形の前記第３貫通孔で覆われて構成され、前記テラ ヘルツ波信号を前記第２導波路に閉じ込めて伝搬させる第２フォトニック結晶導波路と、前記第３導波路の両側面に前記第１貫通孔より大径化した複数の第３貫通孔が千鳥配置さ れ、前記第３導波路の両側面が半円筒形の前記第３貫通孔で覆われて構成され、前記テラ ヘルツ波信号を前記第３導波路に閉じ込めて伝搬させる第３フォトニック結晶導波路と、 を備える請求項４に記載の伝送デバイス。【請求項６】前記ビームスプリッタ部に入射した前記テラヘルツ波信号の前記反射と前記透過との比率 は、前記ビームスプリッタ部が形成される前記基板の形成領域に対する前記第２貫通孔内 に存在する空気の含有率の増加に対して、反射率が増加し、透過率が減少する関係を有す