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(2) JP 2021-76470 A 2021.5.201020304050【特許請求の範囲】【請求項１】　ベース基板上に、前記ベース基板側から凹凸構造層、および複数の扁平金粒子を含む扁平金粒子層が、この順に積層された光電場増強基板であって、。鼐€光電子分光法により測定される、前記扁平金粒子層側表面における炭素原子Ｃと金原子Ａｕとの個数比Ｃ／Ａｕが０．０５以下であり、扁平金粒子の扁平面における表面粗さＲａが０．２３ｎｍ以上である光電場増強基板。【請求項２】　前記凹凸構造層は、アルミナの水和物を主成分とする請求項１に記載の光電場増強基板。【請求項３】　前記表面粗さＲａが０．２７ｎｍ以上である請求項１または２に記載の光電場増強基板。【請求項４】　前記凹凸構造層と前記扁平金粒子層との間にアンカー層を備えている請求項１から３のいずれか１項に記載の光電場増強基板。【請求項５】　前記扁平金粒子は、前記扁平面に垂直な方向の厚みが５ｎｍ～３００ｎｍ、前記扁平面における長軸長が１０ｎｍ～８００ｎｍである請求項１から４のいずれか１項に記載の光電場増強基板。【請求項６】　ベース基板上に凹凸構造層、および複数の扁平金粒子を含む扁平金粒子層の順に積層された積層基板の前記扁平金粒子層を含む表面に対して、紫外線オゾン処理を実施し、　前記紫外線オゾン処理後の前記積層基板にアニール処理を実施することにより、光電場増強基板を得る光電場増強基板の製造方法。【請求項７】　前記アニール処理の温度が５０℃～２４０℃である請求項６に記載の光電場増強基板の製造方法。【請求項８】　前記アニール処理の温度が７０℃～１２０℃である請求項６に記載の光電場増強基板の製造方法。【請求項９】　前記アニール処理の時間が５分以上である請求項６から８のいずれか１項に記載の光電場増強基板の製造方法。【発明の詳細な説明】【技術分野】【０００１】　本開示は、ラマン分光の検出等に用いられる光電場増強基板および製造方法に関する。【背景技術】【０００２】　ラマン分光法は、物質に単波長光を照射して得られる散乱光を分光して、ラマン散乱光のスペクトル（ラマンスペクトル）を得、得られたラマンスペクトルを解析することによって物質の同定などを行う分析手法である。【０００３】　そして、微弱なラマン散乱光を増強するために局在プラズモン共鳴によって増強された光電場を利用した、いわゆる表面増強ラマン分光（ＳＥＲＳ: Surface Enhanced Raman Spectroscopy）と呼ばれる測定方法が知られている（特許文献１～３参照）。【０００４】　この測定方法は、導電体（金属）の微細構造物質を接触させた状態で光を照射すると、局在プラズモン共鳴による光電場増強が生じ、物質に光が照射した際に発せられる物質固