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188宝金博页面版: ST意法半导体STE110NA20 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR 数据手册

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内容提示: STE110NA20N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATAI TYPICAL R DS(on) = 0.015 ?I HIGH CURRENT POWER MODULEI AVALANCHERUGGED TECHNOLOGYI VERYLARGE SOA - LARGE PEAKPOWERCAPABILITYI EASY TO MOUNTI SAMECURRENT CAPABILITYFOR THETWOSOURCE TERMINALSI EXTREMELY LOW Rth (Junction to case)I VERYLOW INTERNAL PARASITICINDUCTANCEI ISOLATEDPACKAGE UL RECOGNIZEDAPPLICATIONSI SMPS& UPSI MOTOR CONTROLI WELDING EQUIPMENTI OUTPUT STAGE FOR PWM, ULTRASONICCIRCUITSINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE...

文档格式:PDF | 页数:8 | 浏览次数:3 | 上传日期:2022-05-04 21:15:16 | 文档星级:
STE110NA20N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATAI TYPICAL R DS(on) = 0.015 ?I HIGH CURRENT POWER MODULEI AVALANCHERUGGED TECHNOLOGYI VERYLARGE SOA - LARGE PEAKPOWERCAPABILITYI EASY TO MOUNTI SAMECURRENT CAPABILITYFOR THETWOSOURCE TERMINALSI EXTREMELY LOW Rth (Junction to case)I VERYLOW INTERNAL PARASITICINDUCTANCEI ISOLATEDPACKAGE UL RECOGNIZEDAPPLICATIONSI SMPS& UPSI MOTOR CONTROLI WELDING EQUIPMENTI OUTPUT STAGE FOR PWM, ULTRASONICCIRCUITSINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitV DS Drain-source Voltage (V GS = 0) 200 VV DGR Drain- gate Voltage (R GS = 20 k?) 200 VV GS Gate-source Voltage ± 30 VI D Drain Current (continuous) at T c = 25o C110 AI D Drain Current (continuous) at T c = 100o C73 AI DM (•) Drain Current (pulsed) 440 AP tot Total Dissipation at T c = 25o C450 WDerating Factor 3.6 W/ o CT stg Storage Temperature -55 to 150o CT j Max. Operating Junction Temperature 150o CV ISO Insulation Withhstand Voltage (AC-RMS) 2500 V(•) Pulsewidth limited by safe operating areaTYPE V DSS R DS(on) I DSTE110NA20 200 V < 0.019 ? 110 AMarch 1996ISOTOP1/8查询STE110NA20供应商

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