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    内容提示： 40 2011 23 Vol.40 No.2 Journal of University of Electronic Science and Technology of China Mar. 2011 1,211 (1. 710071; 2. 154007) MOSHSPICEMOSBSIM 4 TN386.1 A doi:10.3969/j.issn.1001-0548.2011.02.031 Gate Tunneling Current Predicting Model for Scaled Devices WU Tie-feng1,2, ZHANG He-ming1, and HU Hui-yong1 (1. Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials ...

    文档格式：PDF | 页数：5 | 浏览次数：11 | 上传日期：2014-12-31 21:50:38 | 文档星级：
    40 2011 23 Vol.40 No.2 Journal of University of Electronic Science and Technology of China Mar. 2011 1,211 (1. 710071; 2. 154007) MOSHSPICEMOSBSIM 4 TN386.1 A doi:10.3969/j.issn.1001-0548.2011.02.031 Gate Tunneling Current Predicting Model for Scaled Devices WU Tie-feng1,2, ZHANG He-ming1, and HU Hui-yong1 (1. Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University Xi’an 710071; 2. School of Information & Electronic Technology, Jiamusi University Jiamusi 154007) Abstract With the scaling of MOS devices, gate tunneling current increases significantly due to thinner gate oxides, and static characteristics of devices and circuit are severely affected by the presence of gate tunneling currents. In this paper, a novel gate tunneling current predicting model using integral means is presented for ultra-thin gate oxide MOS devices that tunneling current changes with gate-oxide thickness. To analyze quantitatively the behaviors of scaled MOS devices in the effects of gate tunneling current and predict the trends, the characteristics of MOS devices are studied in detail using H-Simulation program with integrated circuit emphasis (HSPICE) simulator. The simulation results in BSIM 4 model well agree with the model proposed. The theory and experiment data are contributed to the VLSI circuit design in the future. Key words device simulation; gate tunneling current model; gate oxides; integral means; scaled device 2009 10 21; 2010 06 18 (1974 ). MOS[1][2]ITRS100 nsMOS1.4 ns[3-4]MOS[5]MOS[6-7]PMOSFET[8-9] MOSNMOSFETPMOSFETITRS(internation technology roadmap for semiconductors)MOS0.71.3 nm4090 nmI-VMOS()

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