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    188宝金博页面版: 普通led和大功率led技术和工艺21643

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    内容提示： 普通 LED 和大功率 LED 技术和工艺. txt 如果真诚是一种伤害， 请选择谎言； 如果谎言是一种伤害， 请选择沉默； 如果沉默是一种伤害， 请选择离开。 本文由 chenmeng201011 贡献 doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。 建议您优先选择 TXT， 或下载源文件到本机查看。 普通 LED 和大功率 LED 技术和工艺上有什么不同？ 技术和工艺上有什么不同？ 大功率 LED 节能灯是 LED 节能灯的一种， 相对于小功率 LED 节能灯来说， 大功率 LED 节能灯单 颗功率更高， 亮度更亮， 价格更高。 小功率 LED 节能灯额定电流都是 20mA， 额定电流高过 20mA 的基本上都可以算作...

    文档格式：DOC | 页数：13 | 浏览次数：18 | 上传日期：2015-04-11 16:02:39 | 文档星级：
    普通 LED 和大功率 LED 技术和工艺. txt 如果真诚是一种伤害， 请选择谎言； 如果谎言是一种伤害， 请选择沉默； 如果沉默是一种伤害， 请选择离开。 本文由 chenmeng201011 贡献 doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。 建议您优先选择 TXT， 或下载源文件到本机查看。 普通 LED 和大功率 LED 技术和工艺上有什么不同？ 技术和工艺上有什么不同？ 大功率 LED 节能灯是 LED 节能灯的一种， 相对于小功率 LED 节能灯来说， 大功率 LED 节能灯单 颗功率更高， 亮度更亮， 价格更高。 小功率 LED 节能灯额定电流都是 20mA， 额定电流高过 20mA 的基本上都可以算作大功率。 一般功率数有： 0. 25w、 0. 5w、 1w、 3w、 5w、 8w、10w 等等。 主要亮 度单位为 lm （流明）， 小功率的亮度单位一般为 mcd。 此两单位无法换算。目前做为一个新兴的绿 色、 环保、 节能光源被广泛应用于汽车灯、 手电筒、 灯具等场所。 大功率 LED 节能灯之所以这样称呼, 主要是针对小功率 LED 节能灯而言, 目前分类的标准总结有三 种: 其中第一种是根据功率大小可分为 0. 5W, 1W, 3W, 5W, 10W……100W 不等, 根据封装后成型产品的总的 功率而言不同而不同. 第二种可以根据其封装工艺不同分为: 大尺寸环氧树脂封装、 仿食人鱼式环氧树脂封装、 铝基板 （MCPCB） 式封装、 TO 封装、 功率型 SMD 封装、MCPCB 集成化封装等等 第三种可以根据其光衰程度不同可分为低光衰大功率产品和非低光衰大功率产品。 当然， 由于大功率 LED 节能灯本身的参数比较多， 根据不同的参数会有不同的分类标准， 在此 不再类述。 大功率 LED 节能灯仍然属于 LED 封装产品里的一种，是让半导体照明走向普通照明领域里最重 要的一环。 在使用大功率 LED 节能灯时， 必须了解光强分布、 色温分布、 热阻及显色性等问题 掌握 W 级大功率 LED 节能灯的光强分布图，是正确使用大功率 LED 节能灯所必需的。厂家一定 要向客户提供 LED 器件的各种参数指标 大功率 LED 节能灯的色温分布是否均匀， 将直接影响照明效果； 而且色温与显色指数是互相关 联的， 色温的改变会引起显色指数的变化。 大功率 LED 节能灯的热阻直接影响 LED 器件的散热。 热阻低， 散热越好； 热阻高则散热差， 这 样器件温升高， 就会影响光的波长漂移。根据经验， 温度升高一度， 光波长要漂移 0. 2~0. 3nm， 这 样会直接影响器件的发光质量。 温升过高也直接影响 W 级大功率 LED 节能灯的使用寿命。 显色性是白光 LED 的重要指标，用于照明的白光 LED 的显色性必须在 80 以上 LED 节能灯的工作原理及原理图 LED 我做了一年多， 驱动方面不难， 网上资料也很多， 你可以看看。 我觉得对 LED 本身的了解更 为重要， 只有摸清了它的脾气， 才能设计出好的驱动来。 前段时间去上海参加了国际 LED 技术展， 颇有收获， 把 LED 原理方面的最新资料整理如下， 但是贴不上图， 希望对你有所帮助： 1、 LED 发光机理： PN 结的端电压构成一定势垒， 当加正向偏置电压时势垒下降， P 区和 N 区的 多数载流子向对方扩散。 由于电子迁移率比空穴迁移率大得多， 所以会出现大量电子向 P 区扩散， 构成对 P 区少数载流子的注入。 这些电子与价带上的空穴复合， 复合时得到的能量以光能的形式释 放出去。 这就是 PN 结发光的原理。 2、 LED 发光效率： 一般称为组件的外部量子效率， 其为组件的内部量子效率与组件的取出效率的 乘积。所谓组件的内部量子效率， 其实就是组件本身的电光转换效率， 主要与组件本身的特性 （如 组件材料的能带、 缺陷、 杂质）、 组件的垒晶组成及结构等相关。 而组件的取出效率则指的是组件 内部产生的光子， 在经过组件本身的吸收、 折射、 反射后， 实际在组件外部可测量到的光子数目。 因此， 关于取出效率的因素包括了组件材料本身的吸收、 组件的几何结构、 组件及封装材料的折射 率差及组件结构的散射特性等。而组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积， 就是整个组件的 发光效果， 也就是组件的外部量子效率。 早期组件发展集中在提高其内部量子效率， 主要方法是通 过提高垒晶的质量及改变垒晶的结构， 使电能不易转换成热能，进而间接提高 LED 的发光效率， 从而可获得 70%左右的理论内部量子效率， 但是这样的内部量子效率几乎已经接近理论上的极限。 在这样的状况下， 光靠提高组件的内部量子效率是不可能提高组件的总光量的， 因此提高组件的取 出效率便成为重要的研究课题。 目前的方法

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