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188宝金博页面版: 低温多段烧结、真空压力浸渗制备SiCpAl电子封装材料 SiCpAl composites for electronic packaging prepared by low temperature with mu
内容提示: 第17 卷第6 期20 11年12月功能材料与器件学报JO U R N A L0 FF U N C ll0 N A LM A T E R I A L SA N DD E V IC E SV o L 17 . N0. 6D ec. . 20 1 l文章编号: 10 0 7 —4 252( 20 11)0 6 —0 6 20 一0 5低温多段烧结、 真空压力浸渗制备S iC p /A l电子封装材料胡盛青1, 万绍平1, 刘韵妍2, 舒阳会1, 谭春林1, 张刚1( 1. 湖南航天高新材料与装备技术研发中心, 湖南长沙4 10 20 5;2. 湖南航天诚远精密机械有限公司, 湖南长沙4 10 20 5)摘要: 选用W 7 与w 63两种sic粉末, 采用高、 低温粘结剂配合, 模压成型, 8 50 ℃空气气氛低温多段烧结, 制备出体积分数为6 5. 13%的siC 预制件, 真空压力浸渗6 0 6 3A l合金熔液, 得到siC p /A l复合材料。 结果表明: 复合材料x R D 图谱中未出现明显的A l。 C 。 界面相和S iO : 杂相; 致密度高;10 0 ℃时的热膨胀...
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