188宝金博页面版

  • 图案背景
  • 纯色背景
视图
标记
批注
批注本地保存成功,开通会员云端永久保存 去开通
558426

上传于:2015-04-14

粉丝量:2

该文档贡献者很忙,什么也没留下。


  • 相关
  • 目录
  • 笔记
  • 书签

188宝金博页面版:更多相关文档

  • 无压浸渗法制备β-SiCpAl电子封装材料工艺与性能研究

    星级: 65 页

  • SiCpAl电子封装材料制备工艺及性能研究

    星级: 87 页

  • 无压浸渗制备双尺寸颗粒SiCpAl电子封装材料的研究

    星级: 124 页

  • 气压浸渗SiCpAl电子封装外壳的制备与性能

    星级: 83 页

  • 气压浸渗SICPAL电子封装外壳的制备与性能(精品论文)

    星级: 76 页

  • 【精品硕士论文】真空压力浸渗法制备SiCPAl 复合材料及热膨胀性能研究

    星级: 73 页

  • 低温多段烧结_真空压力浸渗制备SiCp_Al电子封装材料

    星级: 5 页

  • SiCpAl电子封装材料与陶瓷元件浸渗连接机理研究

    星级: 4 页

  • 低温多段烧结、真空压力浸渗制备SiCp/Al电子封装材料

    星级: 5 页

  • 微波烧结、真空压力浸渗制备SiCp_Al电子封装材料

    星级: 6 页

  • 电子封装SiCpAl复合材料的制备与性能

    星级: 5 页

暂无目录

点击鼠标右键菜单,创建目录

暂无笔记

选择文本,点击鼠标右键菜单,添加笔记

暂无书签

在左侧文档中,点击鼠标右键,添加书签

188宝金博页面版: 低温多段烧结、真空压力浸渗制备SiCpAl电子封装材料 SiCpAl composites for electronic packaging prepared by low temperature with mu

下载积分: 2000

内容提示: 第17 卷第6 期20 11年12月功能材料与器件学报JO U R N A L0 FF U N C ll0 N A LM A T E R I A L SA N DD E V IC E SV o L 17 . N0. 6D ec. . 20 1 l文章编号: 10 0 7 —4 252( 20 11)0 6 —0 6 20 一0 5低温多段烧结、 真空压力浸渗制备S iC p /A l电子封装材料胡盛青1, 万绍平1, 刘韵妍2, 舒阳会1, 谭春林1, 张刚1( 1. 湖南航天高新材料与装备技术研发中心, 湖南长沙4 10 20 5;2. 湖南航天诚远精密机械有限公司, 湖南长沙4 10 20 5)摘要: 选用W 7 与w 63两种sic粉末, 采用高、 低温粘结剂配合, 模压成型, 8 50 ℃空气气氛低温多段烧结, 制备出体积分数为6 5. 13%的siC 预制件, 真空压力浸渗6 0 6 3A l合金熔液, 得到siC p /A l复合材料。 结果表明: 复合材料x R D 图谱中未出现明显的A l。 C 。 界面相和S iO : 杂相; 致密度高;10 0 ℃时的热膨胀...

文档格式:PDF | 页数:5 | 浏览次数:24 | 上传日期:2015-04-14 01:38:35 | 文档星级:
第17 卷第6 期20 11年12月功能材料与器件学报JO U R N A L0 FF U N C ll0 N A LM A T E R I A L SA N DD E V IC E SV o L 17 . N0. 6D ec. . 20 1 l文章编号: 10 0 7 —4 252( 20 11)0 6 —0 6 20 一0 5低温多段烧结、 真空压力浸渗制备S iC p /A l电子封装材料胡盛青1, 万绍平1, 刘韵妍2, 舒阳会1, 谭春林1, 张刚1( 1. 湖南航天高新材料与装备技术研发中心, 湖南长沙4 10 20 5;2. 湖南航天诚远精密机械有限公司, 湖南长沙4 10 20 5)摘要: 选用W 7 与w 63两种sic粉末, 采用高、 低温粘结剂配合, 模压成型, 8 50 ℃空气气氛低温多段烧结, 制备出体积分数为6 5. 13%的siC 预制件, 真空压力浸渗6 0 6 3A l合金熔液, 得到siC p /A l复合材料。 结果表明: 复合材料x R D 图谱中未出现明显的A l。 C 。 界面相和S iO : 杂相; 致密度高;10 0 ℃时的热膨胀系数为7 . 59 2× 10 “K - 。 ; 常温下热导率为17 2. 68 /w ( m ?K )~; 4 m m × 3m m ×30 m m 规格样品的最大弯曲载荷为335. 5N , 弯曲位移为0 . 16 m m 左右; 综合性能优良, 是优异的电子封装材料。关键词: 低温多段烧结; 真空压力浸渗; S iC p /A 1中图分类号: T B 331文献标识码: AS iC J∥ A l c o m p o site sf o r electr o llicp a ck a 西n g p r e p a r e d b ylo wte m p e m tu r e耐thm u lti—ste p sin te r in ga n dV a c u u mP r e ssu r e In 脚tra tio nH US h en g —q in 9 1, W A N S h a o - p in 9 1, L IUY u n —y a n 2, S H U Y a n g —h u il, ’ r A NC h u n —lin l, Z H A N GG a n 9 1( 1. H ig h —tech m a te r ia l& e q u ip m e n ta n dte c h n o lo g yR & DC e n te r o f H u n a nA e r o sp a c e , C h a n g sh a4 10 20 5, C h in a ;2 . C h e n g )r u a nP r e cisio nM a c h in e r y C o . , L tdo f H u n a nA e r o sp a c e , C h a n g sh a4 ∞20 5, C h in a )A b str a ct: ’ r h eS iC p /A l c o m p o site sw ith V o lu m e f Ia ctio n 6 5. 13%S iC w e r e f a b d c a te db y c o m p r e ssio nm o ld in g , 8 50 ℃lo w te m p e r a tu r ew ithm u m —st e p sin te r in gu n d e r a ira tm o sp h e r e a 王1d V a c u u m P I. essu reIn f iltra tio n w ith 1瞩厂7 a n dW 6 3 t w ok in d s o f S iCp o w d e r , 6 0 6 3A 1A 110 ya n dh ig h te m p e r a tu r ea d h e siv e c o m .b in e d w ith lo wte m p e r a tu r ea d h esiv e.T h eresu lts sh o wth a t th er e a r e n o o b v io u sA ldC 1 in te r p h a se a n dim .p u ri£y p h a seljk eS j0 2in th e X R Dp a tte mo fth ec o m p o site sw i£hh ig hI’ ela tived e n sitya n dits T h e瑚a l E x —p a n sio nC o e m c ie n t is 7 . 59 2 × lO - 6 K 。 a t100℃, th e‘Ih e瑚a l C o n d u c tiv ityis 17 2. 6 8 /W ( m ?K )_ 。 a tn o 咖a lte m p e r a tu r e , th em a x im u mb e n d in glo a d o f th esa m p lew ith th e siz e o f4 m m × 3 m m × 3 0 m m is3 3 5. 5Na n dth eb e n d in gd isp la c e m e n tis a b o u t0 . 16 m m . 7 Ih eS iC p /A l c o m p o sjte s p r e p a r e dw jth su c he x .cellen t o v e m Up m p e n ie sisg o o delectr o n icp a c k a g in gM a teria l.K e yw o r d s: L o wte m p e r a tu r ew ithm u lti—ste p sin te r in g ; V a c u u mP r e ssu r eIn f iltm tio n ; S iC p /A l收稿日期: 2011—05—10;修订日期: 20 11—0 7 —26基金项目: 湖南省长沙市科技计划重点项目( K 10 0 326 4 —11)作者简介: 胡盛青: 男, 19 8 0 年生, 硕士, 工程师( E —m a il: Jo y _ h sq @ 126. co m )万方数据

188宝金博页面版:关注我们

  • 新浪微博

关注188宝金博页面版公众号

188宝金博页面版
阅读
APP
阅读
返回
顶部
188宝金博页面版官网登录在线平台入口(2026已更新)—江苏协昌电子科技股份有限公司