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188宝金博页面版: EPROM脉冲总剂量损伤效应实验研究 Pulsed Total Dose Damage Effect Experimental Study on EPROM
内容提示： 第３ ｌ卷第７ 期２ ０ １１年７ 月核电子学与探测技术Ｎ ｕ ｃ ｌｅ ａ ｒＥ ｌｅ ｃ ｔｒ ｏ ｎ ｉｃ ｓ＆ Ｄ ｅ ｔｅ ｃ ｔｉｏ ｎＴ ｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌｏ ｇ ｙＶ ０ １． ３ｌＮ ｏ ． ７Ｊｕ ｌｙ．２ ０ １１Ｅ Ｐ Ｒ Ｏ Ｍ 脉冲总剂量损伤效应实验研究罗尹虹， 姚志斌， 张凤祁， 郭红霞， 张科营， 王园明， 何宝平（ 西北核技术研究所， 陕西西安７ １０ ０ ２４ ）摘要： 针对目前国内存储器辐照效应研究大多集中于功能测试， 所测参数少的现状， 提出了浮栅型存储器阈值电压的测试方法， 并对浮栅型存储器Ｅ Ｐ Ｒ Ｏ Ｍ 初步开展了脉冲总剂量对器件阈值电压影响的效应研究， 分析了损伤机理。 研究结果表明， 脉冲总剂量引起存储单元阈值电压向负方向发生明显漂移， 在不加电和静态加电两种情况下， 存储单元阈值电压漂移基本一致。关键词： Ｅ Ｐ Ｒ Ｏ Ｍ ； ...
