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    188宝金博页面版: 生产工艺

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    内容提示： DSS 炉生产操作规程（试行） 一、 DSS 炉生产工艺概述……………………………………. . 2 二、 装料操作规程……………………………………………. . 5 三、 出料操作规程……………………………………………. . 10 四、 测长晶操作规程…………………………………………. . 13 五、 DSS 炉区日常保养与维护操作规程……………………. 15 一、 装料操作规程 1. 铸锭作业的流程： 装料→抽真空→加热→融解（化料） →长晶→退火→冷却→出炉。 具体操作和注意事项可以参照《DSS 炉操作手册》 进行操作. 2. 工艺概述 2. 1 DSS 炉采取的是直接融定向凝固...

    文档格式：TXT | 页数：6 | 浏览次数：95 | 上传日期：2015-01-21 14:19:57 | 文档星级：
    DSS 炉生产操作规程（试行） 一、 DSS 炉生产工艺概述……………………………………. . 2 二、 装料操作规程……………………………………………. . 5 三、 出料操作规程……………………………………………. . 10 四、 测长晶操作规程…………………………………………. . 13 五、 DSS 炉区日常保养与维护操作规程……………………. 15 一、 装料操作规程 1. 铸锭作业的流程： 装料→抽真空→加热→融解（化料） →长晶→退火→冷却→出炉。 具体操作和注意事项可以参照《DSS 炉操作手册》 进行操作. 2. 工艺概述 2. 1 DSS 炉采取的是直接融定向凝固法， 简称直熔法， 又称为布里奇曼法， 即在坩埚内直接将硅料熔化， 然后通过坩埚底部的热交换方式， 使熔体冷却， 即定向凝固技术制造多晶硅的方法， 其优点是材料利用率高， 耗能相对较。 制备的成本小且工艺较简单， 其晶体生长简便， 易于尺寸生长;其缺点是含有晶界， 高密度的位错， 微缺陷和相对较高的杂质浓度， 即晶体质量低于单晶硅， 故此降低了其太阳能电池的光电转换效率(相对而言) 。 2. 2 晶体生长 2. 2. 1 原材料:可以是半导体级的高纯料， 也可以是微电子工业单晶硅生产中的剩余料; 2. 2. 2 坩埚: 现在使用的是高纯石英坩埚， 它的成本较高， 但是突出的优点是对硅锭的污染少，在原料熔化， 结晶的过程中， 硅熔体和石英坩埚长时间接触， 会产生粘连， 由于两者的热膨胀系数不同， 在晶体冷却时可能会造成晶体硅或石英坩埚的破裂， 同时若两者时间接触， 会造成石英坩埚腐蚀， 使得多晶硅中氧浓度升高， 所以通常用 Si3N4 材料作为涂层， 附加在石英坩埚内壁， 从而隔离硅熔体和石英坩埚， 这样不但能解决粘连问题， 还可以降低硅锭中氧硅等杂质的浓度; 2. 3 影响晶体生长的三大因素 多晶硅晶体生长过程中， 从坩埚底部降温， 当底部熔体温度低于熔点时就首先凝固， 形成众多微小的结晶核心， 然后横向生长， 当核心生长到相互接触时， 就逐渐向上生长， 并长大从而形成柱状晶体， 它的方向是与其凝固的方向平行的， 直到结晶完成. 2. 3. 1 尽量均匀固液界面温度 晶体凝固时， 从坩埚底部开始， 在不同的热场设计中， 固液界面或多或少呈现凹形或凸形，由于硅熔体与晶体硅的密度不同， 加之地球重力场的作用从而影响凝固过程， 将会产生晶粒细。 不能垂直生长等问题， 从而影响铸锭质量。 为此在热场设计中要达到使硅熔体在凝固时自下而上的固液界面始终与水平面平行， 这样制备出的硅片表面就与晶界垂直。 2. 3. 2 尽量小的热应力 在凝固过程中存在水平和垂直两个方向的温度梯度， 坩埚下部比上部温度低， 边缘比中心温度低. 一般而言温度梯度大， 生长速度就快， 生产效率就高， 但同时产生的热效应就大， 会导致内部位错生长， 甚至破裂。 因此， 要同时保持熔区和晶体凝固部分温度梯度尽量。 所以在晶体生长的初期， 其生长速率应尽量。 以保证晶体以最少的缺陷密度生长。 2. 3. 3 尽量大的晶粒 对于铸造多晶硅而言， 晶粒越大越好， 这可以使晶界的面积和作用减少， 使硅片的光电转换率提高。 晶粒的大小与其所处位置和冷却速率有关， 一般是底部和边缘比上部和中心的。淙此俣瓤斓谋嚷囊。 二、 装料操作规程 1． 装料前准备工作 装料作业开始前需要确认该炉是否需要进行维修、 保养等工作， 若需要进行以上工作须确认

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