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    内容提示： 书 书收稿日期!!""#$%%$!!& !!"#$ 元线列 %&’( 肖特基势垒红外 ))*熊 ! 平!唐遵烈!邓光华!李 ! 平!易 ! 平"重庆光电技术研究所#重庆 $"""+" $摘 ! 要! ! 介绍了我们研制的 %"!# 元线列 ’()* 肖特基势垒红外电荷耦合器件! ++, "#器件采用最小 ! 微米设计规则$两层多晶硅结构#器件的像元尺寸为 -" ! ./-" ! . #器件采用品字形排列$占空比为 %""0 # %"!# 位探测器存储的电荷分两路 ++, 到同一个浮置扩散放大器上输出#器件在 1"2 温度下工作#在积分时间为 # 毫秒及镜头为 ! % % 条件下$器件噪声等效温差为 "&%2 #用 %"""2 黑体测得探测率 " " 为 3&1/%"...

    文档格式：PDF | 页数：4 | 浏览次数：108 | 上传日期：2015-12-29 18:17:20 | 文档星级：
    书 书收稿日期!!""#$%%$!!& !!"#$ 元线列 %&’( 肖特基势垒红外 ))*熊 ! 平!唐遵烈!邓光华!李 ! 平!易 ! 平"重庆光电技术研究所#重庆 $"""+" $摘 ! 要! ! 介绍了我们研制的 %"!# 元线列 ’()* 肖特基势垒红外电荷耦合器件! ++, "#器件采用最小 ! 微米设计规则$两层多晶硅结构#器件的像元尺寸为 -" ! ./-" ! . #器件采用品字形排列$占空比为 %""0 # %"!# 位探测器存储的电荷分两路 ++, 到同一个浮置扩散放大器上输出#器件在 1"2 温度下工作#在积分时间为 # 毫秒及镜头为 ! % % 条件下$器件噪声等效温差为 "&%2 #用 %"""2 黑体测得探测率 " " 为 3&1/%"3 4. & 56 % % ! & 7 $% #器件响应不均匀性为 #&10 #介绍器件设计及性能测试结果#关键词! !’()* !线列!肖特基势垒! ++,中图分类号! 89-1:&;! 文献标识码! <! 文章编号! %""%$;1:1 "!""; # )$"""%$"-!"#$,-.-/-0&1(0-23345%&’(’678&&95,:433(-3;0<343-=))*=>?9@’*AB $ 8<9@CDAEF*G $ ,H9@@DIABEJDI $ K>’*AB $ L>’*AB" )780>?(0>@A&8-.-6&380(6BC-B-4367;0B&(&D&- $ )780>?(0>$"""+" $ )EF #2:B&346& % !<%"!#EGFG.GA(’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’ 56 % & ! ’ 7 $%WIVMP(I*AGSI((JGPFI4NPMSO(G.TGQI(DQGMR%"""2&8JGIQQIOTJM(MQGVTMAVGAMAEDA*RMQ.*(OWIV#&10&,GU*4GSGV*BAIASTGQRMQ.IA4G(GV(QGVDF(VWGQGSGV4Q*PGS&G-5H83=B % !’()* ! F*AGIQQIO ! )4JM((NOEPIQQ*GQ ! ++,%! 引言自 %3Z- 年 )JGTJGQS 和 LIAB 提出硅化物肖特基 势 垒 探 测 器 " )X, #焦 平 面 阵 列 " [’< #较5B+S8G ( >A)P 焦平面阵列容易制作$可用于红外热成像的概念以来 )% * $)X,[’< 的研制技术从 !" 世纪 1" 年代以来已迅速发展$可制作出高分辨率扫描和凝视红外成像器件+在红外成像器件中$肖特基势垒焦平面阵列的制作工艺唯一能与硅大规模集成电路制作工艺很好地兼容$利用这种成熟的工艺技术$可制作高像元密度的大规：焱饨蛊矫嬲罅衅骷+由于 )X,++,[’< 器件制作成本相对较低$光响应均匀性好$++, 信号读出噪声低$ ’()* 肖特基势垒焦平面阵列已广泛应用于 %"- ! . 短波红外 " )7>\ #和 -";! . 中波红外 "]7>\ #谱段的红外探测+在 ’()* 肖特基势垒焦平面阵列线列器件研制方面$%31Z 年日本三菱公司报道制作出 #"3:/# 元’()*++, 线列器件用于日本地球资源卫星 ^H\)$%) ! * $该器件采用 # 个 #"3: 线列器件并排$加上窄带滤光片分别对 %&;"!&; ! . 短波红外窗口区域的# 个波段进行探测!它利用短波红外区域对辨别岩石(土壤(农作物等非常有效的特点进行地球资源探’%’,半导体光电- !""; 年 - 月第 !: 卷增刊 熊 ! 平 等’ !%"!# 元线列 ’()* 肖特基势垒红外 ++,##################################################

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