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188宝金博页面版: 垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法

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内容提示: (19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202111329025.2(22)申请日 2021.11.10(66)本国优先权数据202122637271.6 2021.10.29 CN202111279945.8 2021.10.29 CN(71)申请人 绍兴诺芯半导体科技有限公司地址 312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道银桥路326号3幢212-A室(72)发明人 徐吉程 徐宁 潘群华 (74)专利代理机构 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250代理人 安威威(51)Int.Cl.H01L 29/739 (2006.01)H01L 29/06 (2006.01)H01L 21/336 (2006.01) (54)发明名称垂直功率金属氧化物半导体场...

文档格式:PDF | 页数:14 | 浏览次数:2 | 上传日期:2022-04-19 15:19:49 | 文档星级:
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202111329025.2(22)申请日 2021.11.10(66)本国优先权数据202122637271.6 2021.10.29 CN202111279945.8 2021.10.29 CN(71)申请人 绍兴诺芯半导体科技有限公司地址 312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道银桥路326号3幢212-A室(72)发明人 徐吉程 徐宁 潘群华 (74)专利代理机构 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250代理人 安威威(51)Int.Cl.H01L 29/739 (2006.01)H01L 29/06 (2006.01)H01L 21/336 (2006.01) (54)发明名称垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法。该垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管包括至少一个第一单原胞和至少一个第二单原胞组成的单胞阵列,第一单原胞以及第二单原胞均包括:重掺杂衬底,外延层,第一阱区,源极区,栅氧化层,多晶硅层,绝缘层,源极金属层,以及漏极金属层,第二单原胞中还设置有第二导电类型的第二阱区,第二阱区设于外延层内且与栅氧化层贴合。该垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管能够在不影响开关速度等性能的条件下,降低电磁辐射以及电磁传导低。权利要求书2页 说明书8页 附图3页CN 114171591 A2022.03.11CN 114171591 A

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