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188宝金博页面版: PECVD 工艺中氮化硅薄膜龟裂研究 Research of Silicon Nitride Thin Film Cracking in Technical Process PECVD
内容提示： 微 处 理 机ＭＩＣＲＯＰＲＯＣＥＳＳＯＲＳＰＥＣＶＤ 工艺中氮化硅薄膜龟裂研究徐 衡，林洪春，唐 冬（ 中国电子科技集团公司 第四十七研究所，沈阳 １１００３２） 摘 要：ＰＥ 氮化硅薄膜优异的物理、化学性能使其在半导体分立器件、ＩＣ 电路中 常被用 作绝缘层、钝化层而使用 。 然而，氮化硅龟裂问题是影响其作为钝化层使用 的阻碍因素，因此，科学的氮化硅工艺条件对其薄膜质量的影响非常关键。 给出 了 等离子体化学气相淀积（ ＰＥＣＶＤ） 氮化硅薄膜技术的原理， 通过实验验证， 确定了 诱发氮化硅龟裂现象的原因， 优化工艺条件， 确定了 ＰＥＣＶＤ氮化硅的最佳工艺条件，杜绝了 龟裂现象对氮化硅作为钝化层使用 的影响。关键词：等离子体化学气相...
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