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188宝金博页面版: 控制发变电站二次系统电磁干扰水平的措施

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内容提示: ? 1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. http://www.cnki.net? 应用研究?控制发变电站二次系统电磁干扰水平的措施Measures to Control Electromagnetic Interference Levels ofSecondary Systems in Power Plants and Substations何金良   曾   嵘        屠幼萍     (清华大学 ,北京市 ,100084)        (华北电力大学 ,北京市 ,100085)[摘   要 ]   发变电站二次系统的电磁干扰防护是一项系统工程 ,需要采用综合防护措施。 提高一次系统和二次设备之间的电磁兼容性的主...

文档格式:PDF | 页数:4 | 浏览次数:121 | 上传日期:2014-05-08 18:50:30 | 文档星级:
© 1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. http://www.cnki.net? 应用研究?控制发变电站二次系统电磁干扰水平的措施Measures to Control Electromagnetic Interference Levels ofSecondary Systems in Power Plants and Substations何金良   曾   嵘        屠幼萍     (清华大学 ,北京市 ,100084)        (华北电力大学 ,北京市 ,100085)[摘   要 ]   发变电站二次系统的电磁干扰防护是一项系统工程 ,需要采用综合防护措施。 提高一次系统和二次设备之间的电磁兼容性的主要措施包括削弱干扰源产生的电磁干扰的幅值及出现的概率、隔断干扰的传播途径、对二次电缆采取完善的抗干扰措施、提高二次设备的抗干扰能力 。 减小干扰技术应基于所遇到的干扰的类型进行优化。[关键词 ]   发变电站   二次系统   电磁干扰   综合防护   电磁干扰等通过各种途径在发变电站产生的暂态干扰会通过各种耦合方式在二次系统内产生相应的干扰电压。 二次系统中的设备属于弱电设备 ,特别是对电子和微电子装置 ,其耐压水平和抗干扰能力都比较弱 ,如不采取措施 ,可能会影响电力系统的安全可靠运行。发变电站二次系统的电磁干扰防护是一项系统工程 ,需要采用屏蔽、接地、隔离、保护等综合防护措施〔1〕。 提高一次系统和二次设备之间的电磁兼容性 ,即减小二次系统设备的干扰电压需要采取以下措施 :(1) 削弱干扰源产生的电磁干扰的幅值及出现的概率 ;(2) 隔断干扰的传播途径 ;(3) 对二次电缆采取完善的抗干扰措施 ;(4) 提高二次设备的抗干扰能力 。1   抑制二次系统电磁干扰的基本措施1. 1   抑制二次系统设备的入口处引入的干扰采用隔离变压器可以将出现的干扰电压经隔离变压器的屏蔽层及杂散电容而接地短路 ,有效地抑制共模干扰。 或采用光电耦合元件也能将干扰隔离。 另外采用滤波电路及非线性电阻组成的浪涌吸收装置 ,能有效地抑制共:筒钅8扇。1. 2   抑制终端设备引入的干扰   对于抗干扰能力较弱的二次设备应进行有效的屏蔽保护 ,将设备放在屏蔽箱内 或放入屏蔽室内 。另外应采取合适的接地技术。1. 3   抑制传输电缆引入的干扰二次电缆引入的干扰是二次系统中的最主要的干扰来源。 现在二次电缆一般都采用屏蔽电缆 ,已经将二次电缆引入的干扰降低了 许多 。 降低二次电缆引入的干扰的方法还有 :(1) 将二次电缆远离干扰源 ;(2) 采用屏蔽性能更好的屏蔽电缆或采用多层屏蔽电缆 ;(3) 针对干扰电压及电缆传输信号的不同 ,二次电缆屏蔽层采用不同的接地方式 ;(4) 在相当严重的干扰地区可以采用光缆。2   抑制干扰源2. 1   抑制螺线管继电器线圈产生的干扰与磁线圈并联一个二极管是抑制直流电路中暂态的最简单的方法 ,它能防止通过线圈的电压超过电源供给的电压。应选择合适的具有高的反向过电压和高的正向过电流特性的二极管。 与二极管串联一个等于螺线管电阻值的电阻能显著减小断开时延和消除二极管故障时出现的短路 ,如图 1 所示。另外也可以采用暂态吸收器件和金属氧化物非线性电阻。 采取这些措施后 ,如果仍可能出现一些高频脉冲 ,螺线管应采用 R - C 滤波。 如果是由于螺线管的引线过长引起触头火花放电 ,可以在触发触头处采用二次滤波。 可以布置通过继电器触头的收稿日期 :1999 - 10 - 15?01?电   力   建   设               2000 年第 3 期

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