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188宝金博页面版: 飞思卡尔WiMAX基站射频功率晶体管

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内容提示: P R 0 5 无 源 与 分 立 器 件 Passive & Discrete Compon ents AVX 耐高温大容量钽电容 AVX 的TCJ 系列钽电容近期新增几款大容量器什,据 称可提供业内最高等级的电容, 有助于缩小封装体积。 据介 绍,TCJ 系列电容的电容值 (CV ) 比 同类器件高出 1至 3级,丁程师使用 这些电容可以减小便携器件的尺寸 0 80 5 尺寸电容在 4 V 时 电容值为 IOO BF ,1206尺寸在 6. 3V 时为47uF , 1210 尺 寸布: 6. 3V 时 为 IOBF 。TCJ 电 容的工作电压为12V , 可在l 25 C 高温 下使用。这砦电容经回流焊后仍能保 持等效串联电阻值 (ESR), 并可承受260~ C 回流焊温度, 符 合Rol l ...

文档格式:PDF | 页数:1 | 浏览次数:14 | 上传日期:2015-05-11 01:14:12 | 文档星级:
P R 0 5 无 源 与 分 立 器 件 Passive & Discrete Compon ents AVX 耐高温大容量钽电容 AVX 的TCJ 系列钽电容近期新增几款大容量器什,据 称可提供业内最高等级的电容, 有助于缩小封装体积。 据介 绍,TCJ 系列电容的电容值 (CV ) 比 同类器件高出 1至 3级,丁程师使用 这些电容可以减小便携器件的尺寸 0 80 5 尺寸电容在 4 V 时 电容值为 IOO BF ,1206尺寸在 6. 3V 时为47uF , 1210 尺 寸布: 6. 3V 时 为 IOBF 。TCJ 电 容的工作电压为12V , 可在l 25 C 高温 下使用。这砦电容经回流焊后仍能保 持等效串联电阻值 (ESR), 并可承受260~ C 回流焊温度, 符 合Rol l s 规范要求 万片批量时, 售价在0. 20美分至0. 32美 分。供货期为八至十周,现在可提供样品。 Casix 面向固态激光器的 Nd: GdVO4 晶体 Casix公司日前宣布推出用于固态激光器的掺钕钒酸钆 (Nd: GdVO4, Neodymium Doped Gadolinium Vanadate) 激光 晶体。Nd: GdVO4 晶体是理想 的DPSS (二极管泵浦固态) 微 小型激光器的工作物质, 具有 高功率输出、高斜率效率、良 好的热传导性、 低发射阈值以 及高损坏闽值等特性。 这种激 光晶体在泵浦波 长时具有大的受激发射横截面、 高吸收系数 以及高带宽, 同时对泵浦波长依赖较低, 可输出强偏振激光。 该材料比Nd: YA G 晶体具有更高的斜率效率和更好的导热 性,也比Nd: Y VO4 晶体具有更强的输出 飞思卡尔WiMAX 基站射频功率晶体管 飞思 尔半导体公 得 了 . 在3, 5 GHz 频段运行的符合WiMAX 基站所需的射频功 (Frecscale Semiconductor) 成功取 率放大器性能。 这一成功标志着制造商的射频横向扩散金属 氧化物半导体 (L DMOS) 技术获得重大突破。通过提供采 用射频 LDMOS 和 GaA s PHEMT 技术的功率晶体管,飞思 卡尔的射频解决方案能够真正支持任何高功率无线基础设施 应用,其中LDMOS 的性能高达3. 8 GHz,而 GaA s PHEMT 的性能则高达6 GHz。 WiMAX 系统采用64TE交调幅 (QA M) 正交频分复用 (OFDM) 信号。QAM OFDM 信号处理i 功 率放大器的设计人员提出了挑战, 回退中的射频功率晶体管 线性度至关重要。 1 毛 思卡尔的高级 3,5 GHz HV 7 LDMOS 器 件提供了WiMAX 系统所需的高效、线性和EVM 性能,为 设计者提供 r 在合成半导体和哇LDMOS之间进行选择的机 会。首批 3 . 5 G H Z L D M O S 器件的样品现已问世 。 MRF7S38075H是75瓦Pl dB射频晶体管, 平均功率为42dBm (16W) ,满足在3. 5 GHz频段运行的 WiMAX 设备的性能要 求。此外,40W 和 10W 的 PldB 3. 5 GHz 器件于 2006年 2 月面市。月 正在开发的新型高压 GaAs 器件将可在高达 6 GHz 的频段运行,样品将干 2006年第三季度面市。 Hittite Microwave 宽带 MMIC V CO Hittite Microwave 公司推出宽带 MM IC 压控振荡器 (VCO), 适用丁8. 0 GHz 到 1 2. 5 GHz 的工业/ 医疗洲试和测 量设备、军事通信、电 战 (EW) 和电子对抗 (ECM ) 应 用。HM C588LC4B 宽带 HB T MM IC V CO 整合了谐振器、 负 阻器件和变容二极管。它可提 供 8. 0 GHz 到 12. 5 GHz 的输出 调谐范围,+ 5 dBm的高输出 功率和 100 kHz 偏移处 93 dBc/ Hz 的低 SSB 相位噪声。该 V CO 的 V 端口接受OV 到+ 15V 的模拟凋谐电压,可适 快速 65 MHz 调苗带宽。 J . W. Miller Magnetics 低外形多层片状电感器 J. W. Miller Magnetics 推出符合 RoHS 规范的表面贴装 PM1210G 和 PM1812G 系列多层片状电感器,它们具有较 、 『 I , 、 f . ecn china.com 目 C 2006. 3 · 4 5 维普资讯 http://www.cqvip.com

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