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    188宝金博页面版: AOC2800规格书

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    内容提示： AOC2800Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode FieldEffect TransistorGeneral Description Product SummaryVss 30V I D (at V GS =4.5V) 6A R SS(ON) (at V GS =4.5V) < 42m? R SS(ON) (at V GS =4.0V) < 44m? R SS(ON) (at V GS =3.1V) < 49m? R SS(ON) (at V GS =2.5V) < 61m?The AOC2800 uses advanced trench technology to provideexcellent R SS(ON) , low gate charge and operation with gatevoltages as low as 2.5V while retaining a 12V V GS(MAX) rating.It is ESD protected. This device is suitable fo...

    文档格式：PDF | 页数：5 | 浏览次数：9 | 上传日期：2018-03-08 01:25:18 | 文档星级：
    AOC2800Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode FieldEffect TransistorGeneral Description Product SummaryVss 30V I D (at V GS =4.5V) 6A R SS(ON) (at V GS =4.5V) < 42m? R SS(ON) (at V GS =4.0V) < 44m? R SS(ON) (at V GS =3.1V) < 49m? R SS(ON) (at V GS =2.5V) < 61m?The AOC2800 uses advanced trench technology to provideexcellent R SS(ON) , low gate charge and operation with gatevoltages as low as 2.5V while retaining a 12V V GS(MAX) rating.It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by itscommon-drain configuration.Equivalent CircuitTop View Bottom ViewWLCSP 1.57x1.57_4SymbolV SSV GST A =25°C I SI SMP DT J , T STGNote 1. Mounted on minimum pad PCBNote 2. PW <300 µs pulses, duty cycle 0.5% maxJunction and Storage Temperature RangeA1.3-55 to 15060Power Dissipation Note1T A =25°C°CMaximumAbsolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted±1230Source Current (Pulse) Note2Gate-Source VoltageSource-Source VoltageSource Current (DC) Note1 6VVWUnits Parameter0.65 mm1.62 mm1.62 mmG2G1S1Top View Bottom ViewPin1(S1)S20.65 mmG1 G2D1 S1 D2 S2 Rev 3: August 2012 Page 1 of 6

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