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    188宝金博页面版: 电源芯片60co伽马射线总剂量辐照特性初探

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    内容提示： 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集TPS5120电源芯片辐照测试原理图如图2所示．、IIG N D上耐IR2哆一?{船和∞U 1耵f"--高：4u，? TPs5120DBT? 一I一眵：、w 。O I／1"! ．o剖圭cy／, O FTSTARl r! LL'—舢■ ‘ ● ‘ ，O U TI_dI叫"l rGN01札● 1■ yTw '3mmT阳P2●‘ T吖t3TEW 2期∞孽也一O Vr6一D 21r、1Ftttl 列( 瓦；。Ⅸ3C' 32T拍” 一髓一_I嚣L叫卜—_剞C16M．．CS“5C15V●CTT、．CB”●REfVP《r．r．F$-●．．C7“tlL' 2FLTPO W ERG O O D■ oFTl 删峨付LL2m 27．．C■”● 'O U T2_d翻m o羽辩' -州嶝。¨∞f峭u斜|’ ●l ，c住王n，I—u．¨l± 泓t5哩 一蚶I N V2啪R·...

    文档格式：PDF | 页数：4 | 浏览次数：66 | 上传日期：2015-07-21 19:03:39 | 文档星级：
    第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集TPS5120电源芯片辐照测试原理图如图2所示．、IIG N D上耐IR2哆一?{船和∞U 1耵f"--高：4u，? TPs5120DBT? 一I一眵：、w 。O I／1"! ．o剖圭cy／, O FTSTARl r! LL'—舢■ ‘ ● ‘ ，O U TI_dI叫"l rGN01札● 1■ yTw '3mmT阳P2●‘ T吖t3TEW 2期∞孽也一O Vr6一D 21r、1Ftttl 列( 瓦；。Ⅸ3C' 32T拍” 一髓一_I嚣L叫卜—_剞C16M．．CS“5C15V●CTT、．CB”●REfVP《r．r．F$-●．．C7“tlL' 2FLTPO W ERG O O D■ oFTl 删峨付LL2m 27．．C■”● 'O U T2_d翻m o羽辩' -州嶝。¨∞f峭u斜|’ ●l ，c住王n，I—u．¨l± 泓t5哩 一蚶I N V2啪R·℃C' Oc' ‘j?鼬’魁图2TPS5210系列电源芯片辐照测试原理图辐照试验在西北核技术研究所钴源完成，辐照剂量率为50rad( Si ) ／s。辐照中电路所加电压为5V，各输出端均接100Q 负载，辐照过程中用示波器动态监测其输出电压的变化，并用计算机采集、记录波形数据。辐照过程中对测试电路板工作电流进行了检测。3实验结果与分析3．1 TPS5461X系列电源芯片TPS5461X系列电源芯片输出电压辐照结果如图3所示。从图中可以看出，在辐照总剂量达到某一值之前，电源芯片的输出电压保持不变，随后辐照总剂量继续增加，电源芯片的输出电压逐渐衰降。但TPS5461X系列芯片的辐照特性及损伤阈值不尽相同。TPS54612辐照前输出电压为1．2V，辐照剂量达7．5E3rad( Si ) 时，。输出电压开始衰降，当辐照剂量达3FAtad( Si ) 时，输出电压降为0，可知TPS54612的失效阈值约为7．5E3rad( Si ) ( 以输出电压变化5％为失效判据) ；辐照剂量为3FAred( Si ) 时功能完全失效。TPS54613辐照前输出电压为1．5V，辐照剂量达9．8E3rad( Si ) 时，输出电压开始衰降，当辐照剂量达3E4 tad( Si ) 时，输出电压突然降为O ，可知TPS54613的失效阈值约为9．8E3rad( Si ) ；辐照剂量为3E4 tad( Sj ) 时功能完全失效。TPS54614辐照前输出电压为1．8V，辐照剂量达1．6F_, 4rad( Si ) 时，输出电压逐渐衰降，且输出电压不断跳变，在辐照结束之前，即辐照剂量为3E4 rad( Si ) 时，输出电压保持在1．25V，可知TPS54614的失效阈值约为9．8E3rad(Si )。TPS54616辐照前输出电压为3．3V，辐照剂量达1．SF_, 4rad( Si ) 时，输出电压开始衰降，从图中可知TPS54616的失效阈值约为1．5FArad( Si ) 。从结果可以看出，输出电压高的电源芯片抗电离辐射能力好于输出电压低的电源芯片；TPS54616和TP$54612输出电压的衰降比较迅速，而另外两种型号电源芯片衰降比较缓慢。整个电路工作电流随辐照剂量增加的变化如表1所示。从表中可以看出，辐照前测试电路的电流为0．05A· 随着辐照总剂量的增加，测试电路的电流逐渐增大，当四个芯片都失效时，电流达0．24A。134

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