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188宝金博页面版: 稀土掺杂正硅酸盐荧光粉发 光性能的研究_[终稿]

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内容提示: 北京交通大学硕上学位论文Y 8 7 9 0 0 ‘摘要目前作为半导体照明L E D 和等离子体平板显示器P D P 用的荧光粉引起了越来越多学者的重视, 晶体中掺杂稀土离子的相关研究己成为人们研究的热点。本文采用高温固相法制备了稀土离子掺杂的M 2S i0 4 碱土金属系列正硅酸盐荧光粉, 并对其结构特性及发光性能进行了研究。M 2S i0 4 : R e 的x 射线粉末衍射数据与JcP D s标准卡片符合得很好, 激活离子的掺入没有引起基质结构的明显变化, 表明我们合成的材料是碱土金属正硅酸盐, 属于M 2S i0 4 型化合物。B a 2S i0 4 : E u 2十荧光粉在39 8 n m 长波紫外光激发下的发射峰值位于50 9 rⅡ n , 是E u ” 的5d 一4 f 跃迁的典型发射。 其发射...

文档格式:PDF | 页数:61 | 浏览次数:18 | 上传日期:2015-03-10 15:18:36 | 文档星级:
北京交通大学硕上学位论文Y 8 7 9 0 0 ‘摘要目前作为半导体照明L E D 和等离子体平板显示器P D P 用的荧光粉引起了越来越多学者的重视, 晶体中掺杂稀土离子的相关研究己成为人们研究的热点。本文采用高温固相法制备了稀土离子掺杂的M 2S i0 4 碱土金属系列正硅酸盐荧光粉, 并对其结构特性及发光性能进行了研究。M 2S i0 4 : R e 的x 射线粉末衍射数据与JcP D s标准卡片符合得很好, 激活离子的掺入没有引起基质结构的明显变化, 表明我们合成的材料是碱土金属正硅酸盐, 属于M 2S i0 4 型化合物。B a 2S i0 4 : E u 2十荧光粉在39 8 n m 长波紫外光激发下的发射峰值位于50 9 rⅡ n , 是E u ” 的5d 一4 f 跃迁的典型发射。 其发射光谱呈不对称, 表明基质B a 2si0 4 中存在两种不同的B a 2+ 离子格位。ce3+ , E u 2+ 共激活的硅酸钡荧光粉的光谱分析表明, 不论以34 6n m( B a 2si0 4 : O . 0 1ce3+ 荧光粉的激发谱中最强的激发峰)激发, 还是以39 8n m ( B a 2si04 : x ce3+ , O . 02E u 2+ 荧光粉的激发谱中最强的激发峰)激发荧光粉, 都观察不到ce3+ 的发光, 而E u 2+ 的绿带发射得到相应增强,说明ce3+ 和E u 2+ 之间存在有效的无辐射能量传递。 这是由于ce3+ 的强蓝紫色宽带发射光谱与E u 2+ 离子的激发光谱存在很大程度的交叠, 根据D ex ter理论, 证明在该体系中存在ce3+ 一E u 2+ 离子间的无辐射能量传递。( B a l。 , S rx )2S i0 4 : E u 2+ 的发光体系中, S 饥ja 比率不仅改变晶体的晶格参数, 而且改变了荧光粉的发射波长。 随着x 的增加, ( B a l。 srx )2si04晶体的晶格参数逐渐减。 相应的晶场强度逐渐增加,

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