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188宝金博页面版: Ti-Si-C三元机械合金化粉末热压制备Ti3SiC2

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内容提示: 第 l 9 卷2009 年 3 月 第 2 期 黑龙江科技学院学报 Journal of Heilongjiang Institute of Science & Technology V ol _ 19 N o. 2 Mar .2 0o9 文章编号 : 1671— 0118 ( 2009 ) 02— 0 113— 04 Ti— Si— C 三元机械合金化粉末热压制备 Ti3SiC2 张俊 才 ( 黑龙江科技学院 材料科学与工程学院, 哈尔滨 150027) 摘 要 : 针 对原有 Ti SiC 的制备方法存在烧结温度 高、 工艺控制 困难的问题, 以 Ti、 si 、 c 三元 粉末为原料 , 分别采 用普通混料和机械合金化 对原料粉末进行混合 , 对混合后 的粉 末进行 XRD、 TEM 和 DTA 分析 , 从而确定合成 Ti SiC,的真...

文档格式:PDF | 页数:4 | 浏览次数:21 | 上传日期:2015-03-03 21:35:37 | 文档星级:
第 l 9 卷2009 年 3 月 第 2 期 黑龙江科技学院学报 Journal of Heilongjiang Institute of Science & Technology V ol _ 19 N o. 2 Mar .2 0o9 文章编号 : 1671— 0118 ( 2009 ) 02— 0 113— 04 Ti— Si— C 三元机械合金化粉末热压制备 Ti3SiC2 张俊 才 ( 黑龙江科技学院 材料科学与工程学院, 哈尔滨 150027) 摘 要 : 针 对原有 Ti SiC 的制备方法存在烧结温度 高、 工艺控制 困难的问题, 以 Ti、 si 、 c 三元 粉末为原料 , 分别采 用普通混料和机械合金化 对原料粉末进行混合 , 对混合后 的粉 末进行 XRD、 TEM 和 DTA 分析 , 从而确定合成 Ti SiC,的真空热压工艺, 并对经热压制备的材料进行组织结构分 析 。结果表 明: 机械合金化能降低合成 Ti SiC 的反应 温度 , 使合成 Ti SiC 的过程更加充分, 热压 后的烧结体组织更加均 匀, 几乎没有成分偏析 。 关 键词 : 机 械 合金 化 ;热压 ; Ti SiC 中图分类号 :O641 文献标识码 : A Hot pre ss mec ha nic a l a lloy ing pow de rs of T i--S i--C to sy nthes iz e T i3 S iC 2 ZHAN G J unca ( College of Materials Science and Engineering, Heilongjiang Institute of Science a n d Technology, Harbin 15(}027 , China) A b str act : Direc ted at higher sintering tem perature and more diffic ult tec hnology c ontrol ,th is p aper introduc es a mixture of Ti ,Si and C powders by th e way of ord in ary mixin g and mech anic al a l loying mix- ing ,and X R D ,T E M ,D TA analysis of the mixed powders to d etermine th e tec hnolog y of vacu um hot press.T he paper gives an analysis of texture an d structural of vac uum hot press bodies.T he results show th at mec hanica l alloying c an reduc e the temperature of reaction synth etic T i3 S iC 2,and make reaction syn — th esis of Ti 3 SiC 2 be m ore amp le ;m ec han ical alloy ing ev en makes the organization of h ot press body be— come more u nifor m,with little composition segregation. K ey wo rd s : mec hanic al a l loying ;hot press ;T i3 S iC 2 0 引 言 对 Ti, SiC: 薄膜 材料 的研究 最早见 于 1967 年 J eitschko 和 Nowotny 和石墨为原料 , 在 2 000 o C 的温度下通过化学反应 合成 了 Ti3SiC2。1987 年 Goto 和 Horai TiC1 、 CC1 和 H 为 气 源 , 用 化 学 气 相 沉 积 法 的报道 , 他们用气态 Til l 2、 Si 以 SiC1 4、 ( CVD) 合 成 了单 晶 及 多 晶的 Ti, SiC: 。Ti, SiC:块 体材料 的研究始于 2O世纪 90 年代 。块体 Ti SiC: 材料的合成方 法 主要 有 自蔓 延高 温 合成 ( SHS ) 、 热 压 ( HP ) 、 热 等 静 压 ( HIP ) 、 放 电 等 离 子 烧 结 ( SPS) 、 脉冲放电烧结等 。但各种制备 方法均存 在 定 的问题 , 如设 备价格 昂贵 、 烧 结温 度很 高、 控 制 比较 困难 等。近年来 , 出现 了先用 机械 合金化 对原 料 粉 末 进 行 预 处 理 , 再 进 行 热 压 的 新 工 一收稿 日期 : 2009 一O1一O7 基金项 目:黑龙江省188宝金博页面版厅科学技术研究项 目( 10551274) 作者简介 :张俊才( 1 969 一) , 男, 黑龙江省鸡西人 , 副教授 , 博士研究生 , 研究方 向: 先进陶瓷材料、 矿物材料 , E-mail: zhangjuncail212@ 1 63. eom。

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