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188宝金博页面版: IGBT知识总结
内容提示： T IGBT 知识总结 IGBT 英文全称：Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）。它是由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 因为它兼具了MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。因此，它具有驱动功率小而饱和压降低的突出特点！常用于直流电压为 600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 T IGBT 有 三个极分别是集电极 (C) 、发射极 (E) 和 门 极 (G) 。 其 击穿电压可达 1200V ，集电极最大 饱和电流 已超过 1500A 。由 IGBT作为逆变...
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