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188宝金博页面版: 安森美SOT553和SOT563微型封装集成瞬态电压保护器件系列

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内容提示: i产 品觚 技7 ft Actel 的太空技术 F PGA 突破百万门大关 A ctel 公司宣布推 出下一代耐 辐射 R T A X — S 步落实该公司致力为航天技术领 域 开发新 型高可靠性产 品的承诺 。 全新器件的密度高达 2 百万等等效 系统 门 (约 250, 000 个 A SIC 等效 门), 具 备专为太空技 术而优化 、 高 董 和单芯片的特性 。 R T A X - S 系列以 A ctel 的 A X 架构和可延展平 F PGA产品,进 一勾 基础 , 具备多项重要的结构改进: 嵌入 FIFO控 能够提高逻辑模块利用率的可完全分拆逻辑丛 tperCluster)~ 使整个器件具有更精确的时钟脉冲 立 差的内核单元结构; 有8个横跨...

文档格式:PDF | 页数:1 | 浏览次数:35 | 上传日期:2015-05-10 04:55:08 | 文档星级:
i产 品觚 技7 ft Actel 的太空技术 F PGA 突破百万门大关 A ctel 公司宣布推 出下一代耐 辐射 R T A X — S 步落实该公司致力为航天技术领 域 开发新 型高可靠性产 品的承诺 。 全新器件的密度高达 2 百万等等效 系统 门 (约 250, 000 个 A SIC 等效 门), 具 备专为太空技 术而优化 、 高 董 和单芯片的特性 。 R T A X - S 系列以 A ctel 的 A X 架构和可延展平 F PGA产品,进 一勾 基础 , 具备多项重要的结构改进: 嵌入 FIFO控 能够提高逻辑模块利用率的可完全分拆逻辑丛 tperCluster)~ 使整个器件具有更精确的时钟脉冲 立 差的内核单元结构; 有8个横跨整个芯片灵活的 哥 时钟结构 , 免除 了进行时钟布局 (f l oorplanning) 需 要 ,而且便于设计移植。 新一代 4频段功率放大器模块 ADI 近 日发布该公司的用于4 频段 GSM/ GPRS 寓电话的新一代 X — P ATM 功率放大器模块。这种 ADL5552 X — P A功率放大器模块特点具有一个 戈的控制环路结构和单点校准功能 , 这两个特点都 立用设计容易并且制造成本最低。另外, 该器件具 业界最小的封装 。 ADL 5552 是一个集成 了 RF 功率控制和测量 、 输出功率、高效率移动 电话功率放大器模块。X 一 功率放大器结构采用对数检测方法在 40 dB 范 内提供 ( 以dB 为单位呈线性关系) 精确指数输 出 率控制。 该 器件基于砷化镓 (GaAs) 异质结(HBT ) 率放大器制造工艺。 Motorola推出 精密全球定位系统定时模块 低成本、 高性能全球定位系统 (GPS) 定时模块 创造者摩托 罗拉公司近 日 宣布, 推出 M 1 2+ T iming lcore。该最新的全球定位系统定时模块通过使用 摩托 罗拉公司开发的最新定时法则 , 在精确性上超 业界六西格马 (Six Sigma) 的平均水平 。 E C N / 2 00 3 . 8 高性能、小体积的 1 50m A CMOS LDO Microchip T echnology 日前宣布 , 推出小型 SC- 70封装 的新款 150mA 低压差稳压器 (L DO) 。从现在开始 ,用户在不影响任何性 能的前提下 ,可以改用体积只有 SOT - 23 L DO一半的Microchip新 型 L D O 。 新器件的优越特点可改善系统性能 、 缩小电路板空 间, 并最大限 度地降低 系统成本 。 新器件还提供 了关闭模式, 可进一步降低功耗至 0. 05 A 。此外,该器件小巧的封装和外接的小陶瓷 电容节约了电路 板空间,并最大限度地降低 了元器件成本。 T C 1017 的最大输 出电流是 150mA ,并有多种输出电压供选择。 它广泛应用于手机、 P DA 、寻呼机、手提电脑、二氧化碳探测器、闪 存模块 、无线 LAN (局域网) 卡 、条形码扫描器、照相机和 MP3 播 放机 ,以及其它许多小尺寸的电池供电应用中。 最新支持Intel P4 800MHz 芯片组 扬智科技与宇力电子今 日共同发表一款最 新支持Intel Pentium 4处理 器之北桥芯片产品 M 16 83 ,搭配扬智超高规格 、高整合度的 M 1563南桥芯片 ,可满足台式机及笔记本 电脑 一市场对高品质、高稳定度的效能要求及市场对 一 于主流规格演进的需求。 同时 , 扬智科技与宇力也将基于双方稳 固的 技术基础 ,持续共同开发符合 P C 市场所需的产品 ,为客户提供更卓 越的服务品质。 扬智与宇 力之 M 1 6 8 3 具 备所有 目前市场所需 的高阶英特尔 Pentium 4 平台技术架构之主流规格 ,其前端总线速度达 800MHz , 内存规格部份可分别支持 DDR 266/ 333/ 400,P C一 133,尤其内存 模块部份更可延伸高达三组的 DDR 400效能优势且稳定可靠 ,同时 兼具高规格 8 倍速 A GP 之超效 3D 绘 图功能 ,而优异的省电效能更是 领先同业的一时之选。 铅 安森美SOT553和SOT563微型 封装集成瞬态电压保护器件系列 安森美半导体致 力于不断推出高性能、 节 省空间的器件,新推 出的五款保护器件在 1. 6 × 1. 6× 0. 6 mm SOT 553 或 SOT 563 单封 装内集成了多个瞬变电压抑制 (T V S ) 元件。 这些SOT 5xx 封装T V S 器件不仅符合静 电放电 (ESD ) 保护的严 格要求 , 更较传统的SC88封装减少 电路板空间达36%, 降低厚度40%。 它们可理想应用于重视电路板空间的便携设备, 例如手机 、 数字照相 机 、MP3 播放器、掌上游戏机以及 PDA 。 圆 维普资讯 http://www.cqvip.com

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