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188宝金博页面版: 射频发生器的MOS晶体管实时检测电路及其调节装置

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内容提示: (19)国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 202221959273.5(22)申请日 2022.07.27(73)专利权人 上海伊恩埃半导体科技股份有限公司地址 200120 上海市浦东新区瑞庆路528号24幢甲号1层(72)发明人 贺振华 陈立岗 魏欢 (74)专利代理机构 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528专利代理师 黄劼(51)Int.Cl.G01R 31/26 (2014.01)G01R 21/00 (2006.01) (54)实用新型名称射频发生器的MOS晶体管实时检测电路及其调节装置(57)摘要本实用新型公开了一种射频发生器的MOS晶体管实时检测电路及其调节装置包括:采样电阻R1、R2,...

文档格式:PDF | 页数:7 | 浏览次数:11 | 上传日期:2023-08-17 17:21:13 | 文档星级:
(19)国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 202221959273.5(22)申请日 2022.07.27(73)专利权人 上海伊恩埃半导体科技股份有限公司地址 200120 上海市浦东新区瑞庆路528号24幢甲号1层(72)发明人 贺振华 陈立岗 魏欢 (74)专利代理机构 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528专利代理师 黄劼(51)Int.Cl.G01R 31/26 (2014.01)G01R 21/00 (2006.01) (54)实用新型名称射频发生器的MOS晶体管实时检测电路及其调节装置(57)摘要本实用新型公开了一种射频发生器的MOS晶体管实时检测电路及其调节装置包括:采样电阻R1、R2,所述采样电阻R1、R2依次连接到晶体管的漏极D,所述晶体管的栅极G连接到射频驱动电路,所述晶体管的源极S接地,所述晶体管的漏极D上连接工作电压Vc且连接高频输出匹配电路。对MOS晶体管的电压、电流进行实时监控,通过控制器确保实时电压、实时电流小于参考电压、参考电流;另外,通过参考电压、参考电流小于MOS晶体管的击穿电压、击穿电流,从而使得实时电压、实时电流留有一定的裕量,使MOS晶体管由于过压、过流损坏的几率降低至最小。权利要求书1页 说明书3页 附图2页CN 218003623 U2022.12.09CN 218003623 U

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