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188宝金博页面版: 沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响毕业参照论文

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内容提示: ?17 6 ?中国太阳能光伏进展沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响【摘要】【关键词】陈永生郜小勇杨仕娥卢景霄郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室郑州’ 4 50 0 52采用P E C V D 技术, 在玻璃衬底上沉积p c- S i: H 薄膜。 用拉曼光谱, S E M 和u v - 分光光度计对不同沉积温度下沉积的薄膜的结构特性进行表征。 研究发现:沉积温度较低时, 随着沉积温度的升高, 薄膜的晶化率增加; 当沉积温度超过某一温度值时, 随着温度的进一步升高, 薄膜的晶化率降低。 这时, 表面反应由表面扩散限制转变为流量控制。 该温度值随着硅烷含量的降低而降低。等离子体辅助化学气相沉积氢化微晶硅薄膜拉...

文档格式:PDF | 页数:4 | 浏览次数:18 | 上传日期:2014-07-17 04:51:06 | 文档星级:
?17 6 ?中国太阳能光伏进展沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响【摘要】【关键词】陈永生郜小勇杨仕娥卢景霄郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室郑州’ 4 50 0 52采用P E C V D 技术, 在玻璃衬底上沉积p c- S i: H 薄膜。 用拉曼光谱, S E M 和u v - 分光光度计对不同沉积温度下沉积的薄膜的结构特性进行表征。 研究发现:沉积温度较低时, 随着沉积温度的升高, 薄膜的晶化率增加; 当沉积温度超过某一温度值时, 随着温度的进一步升高, 薄膜的晶化率降低。 这时, 表面反应由表面扩散限制转变为流量控制。 该温度值随着硅烷含量的降低而降低。等离子体辅助化学气相沉积氢化微晶硅薄膜拉曼散射谱晶化率U V 二分光光度计In f lu en ce. o fS u b str a teT e m p e r a tu r eto th eS tr u c tu r eP r o p e r tie so f, M icro cry sta llin eS ilico nF ilm‘C h e nY o n g sh e n g G a oX ia o y o n g Y a n gS h i- eL uJin g x ia oK e yla bo fm a te r ia lp h y sic s, d e p a r tm e n to fp h y sic s, Z h e n g z h o uU n iv e r sity , Z h c n g z h o u4 5 0 0 5 2 , C h in a0 引 言采用P E C V D 方法沉积的微晶硅( “c—S i: H )薄膜广泛应用于薄膜器件如太阳电池、 薄膜晶体管( T F T )、 传感器等‘1, 21。 在a . si薄膜太阳电池中将本证p c. si: H 薄膜作为活性层具有重要意义: ①可以缓解光致衰减; ②增强了对太阳光谱中长波长光区的光谱相应。 本文对不同沉积温度下制备的p c—S i: H 薄膜的微结构进行了分析。1实验采用P E C V D 沉积系统制备“c—S i: H 薄膜。 反应气体为siH 4 和H 2混合气体, 比例R _ - -‘,siH 4 /( siH 4 + H 2)分别为3%和5%; 沉积温度在20 0 。 C ~4 50 0 C 范围内变化; 沉积气压、 射频功率和电极间距保持不变。 薄膜厚度保持在60 0n m 左右。 拉曼散射和积分U V 反射用于分析,薄膜的晶化情况, S E M 观察薄膜的表面形貌。

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