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188宝金博页面版: 水平砷化镓单晶材料产业化项目可行性立项报告
内容提示： 第一章 概述 1 . 1 项目提出背景 砷化镓（GaAs） 单晶是一种重要的半导体光电子和高速高频用半导体微电子材料， 在国际上其产量仅次于硅。 HB 工艺是研究开发最早的 GaAs 单晶生长工艺，也是目前生产量最大的工艺， HB-GaAs 单晶年产量占全世界 GaAs 单晶年产量的50%（2004 年全球的 GaAs 单晶产量约 140t）。 HB-GaAs 单晶生长设备及生长过程涉及到物理、 化学、 冶金学、 自动控制、机械工艺等多个学科， 技术含量高， 批量生产工艺难度大， 日本、 美国等少数厂家在上世纪八十年代前后即开始批量生产， 但其所使用的生产设备、 生产工艺及晶片加工技...
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