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188宝金博页面版: 2025年 高考物理解密之磁场 附答案

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内容提示: 高考物理12025 年 年 高考物理解密之磁场共 一.选择题(共 10 小题)1.(2024?天津)如图所示,两根不计电阻的光滑金属导轨平行放置,导轨及其构成的平面均与水平面成某一角度,导轨上端用直导线连接,整个装置处在垂直于导轨平面向上的匀强磁场中。具有一定阻值的金属棒 MN 从某高度由静止开始下滑,下滑过程中 MN 始终与导轨垂直并接触良好,则 MN 所受的安培力 F及其加速度 a 、速度 v 、电流 I ,随时间 t 变化的关系图像可能正确的是 ( )A. B.C. D.2.(2024?成都模拟)利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域。如图所示,将一厚度为 d 的半导体薄片...

文档格式:PDF | 页数:90 | 浏览次数:10 | 上传日期:2025-04-02 00:06:35 | 文档星级:
高考物理12025 年 年 高考物理解密之磁场共 一.选择题(共 10 小题)1.(2024•天津)如图所示,两根不计电阻的光滑金属导轨平行放置,导轨及其构成的平面均与水平面成某一角度,导轨上端用直导线连接,整个装置处在垂直于导轨平面向上的匀强磁场中。具有一定阻值的金属棒 MN 从某高度由静止开始下滑,下滑过程中 MN 始终与导轨垂直并接触良好,则 MN 所受的安培力 F及其加速度 a 、速度 v 、电流 I ,随时间 t 变化的关系图像可能正确的是 ( )A. B.C. D.2.(2024•成都模拟)利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域。如图所示,将一厚度为 d 的半导体薄片垂直置于磁场 B 中,在薄片的两个侧面 E 、 F 间通以电流 I 时,另外两侧 M 、 N 间产生电势差,这一现象称为霍尔效应。其原因是薄片中定向移动形成电流的载流子受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,在 M 、 N 间产生霍尔电压HU 。半导体的载流子有自由电子或空穴(相当于正电荷)两种类型。下列说法正确的是 ( )A.若该半导体是空穴导电,则 M 侧的电势低于 N 侧的电势B.若只增大半导体薄片的厚度 d ,则霍尔电压HU 将增大C.若只增大磁场的磁感应强度 B ,则霍尔电压HU 将增大

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