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188宝金博页面版: 氧化锆相变及其掺杂稳定化的电子理论研究

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内容提示: 摘要氧化锆相变及其掺杂稳定化的电子理论研究摘要本文以余氏固体与分子经验电子理论( E E T )基。 提出平均离子模型, 计算了纯Z r02、 Z r02。 Y 203二元掺杂体系和Z r02一M g O 二元掺杂体系的价电子结构, 结合刘志林等建立的“固相合金中的C . M e偏聚理论", 从价电子结构分析得出以下结论:纯Z r02中c. Z r02、 t- Z r02、 m - Z r02强键骨架上的总共价电子对数分别为3. 19184、 3. 45528、 3. 65935。 按固相合金中的C . M e偏聚理论的思想推断氧化锆从高温到低温的相变顺序应为液相专c相专t相寸m 相,与实验现象完全一致。在Z r02. Y 203二元掺杂体系中: Y 01. 5含量在¨ %之间, 室温下稳定存在的应是单斜m 相固溶体; Y 01. 5含量在5. 5‰11%之间, 立方t相固溶体可以在室...

文档格式:PDF | 页数:86 | 浏览次数:18 | 上传日期:2013-07-08 09:41:53 | 文档星级:
摘要氧化锆相变及其掺杂稳定化的电子理论研究摘要本文以余氏固体与分子经验电子理论( E E T )基。 提出平均离子模型, 计算了纯Z r02、 Z r02。 Y 203二元掺杂体系和Z r02一M g O 二元掺杂体系的价电子结构, 结合刘志林等建立的“固相合金中的C . M e偏聚理论", 从价电子结构分析得出以下结论:纯Z r02中c. Z r02、 t- Z r02、 m - Z r02强键骨架上的总共价电子对数分别为3. 19184、 3. 45528、 3. 65935。 按固相合金中的C . M e偏聚理论的思想推断氧化锆从高温到低温的相变顺序应为液相专c相专t相寸m 相,与实验现象完全一致。在Z r02. Y 203二元掺杂体系中: Y 01. 5含量在¨ %之间, 室温下稳定存在的应是单斜m 相固溶体; Y 01. 5含量在5. 5‰11%之间, 立方t相固溶体可以在室温下稳定存在; Y 01. 5含量大于13%时则立方C 相固溶体可以在室温下稳定存在; 推断与实验事实一致。在Z r 0 2. M g O 二元掺杂体系中: M g O 含量小于2%时, m 相固溶体是最稳定的相结构; M g O 含量在2‰7%之间, t相固溶体较为稳定,但可能分解成更为稳定地混合多相结构; M g O 含量大于8 %时, C 相固溶体变得稳定, 在10%12%之间C 相稳定性最好; 但当掺杂量大于13%后, C 相固溶体的稳定性会急剧下降, 变得容易分解; 推断与实验事实也基本符合。从电子结构计算结果推测的Z r0 2相变顺序和掺杂稳定化的成分范围与实验事实均有良好的一致性, 说明本文的理论方法可用于新的Z r02稳定剂的寻找, 且这一理论方法可扩展到其他陶瓷相变的研究中。关键词: 氧化锆, 价电子结构, 相变, 相稳定化, 氧化钇, 氧化镁L}o

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