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188宝金博页面版: 四川农业大学《半导体物理》笔记-课堂笔记

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内容提示: 半导体物理 知识总结绪 论一、什么是半导体导体 半导体 绝缘体电导率ρ <310 ?9 310 ~ 10 ?910 ? cm ? ?此外,半导体还有以下重要特性1、 温度可以显著改变半导体导电能力例如:纯硅(Si) 若温度从?30 C 变为 C?20 时,ρ增大一倍2、 微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力例如:若有 100 万硅掺入 1 个杂质(P . Be)此时纯度 99.9999% ,室温( C?27 300K)时,电阻率由 214000Ω降至 0.2Ω3、 光照可以明显改变半导体的导电能力例如:淀积在绝缘体基片上(衬底)上的硫化镉(CdS)薄膜,无光照时电阻(暗电阻)约为几十欧姆,光照时电阻约为几十千欧姆。另外,磁场、电场等外界因素也可显著改变半导...

文档格式:PDF | 页数:32 | 浏览次数:3 | 上传日期:2023-08-14 20:16:58 | 文档星级:
半导体物理 知识总结绪 论一、什么是半导体导体 半导体 绝缘体电导率ρ <310 ?9 310 ~ 10 ?910 ? cm ? ?此外,半导体还有以下重要特性1、 温度可以显著改变半导体导电能力例如:纯硅(Si) 若温度从?30 C 变为 C?20 时,ρ增大一倍2、 微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力例如:若有 100 万硅掺入 1 个杂质(P . Be)此时纯度 99.9999% ,室温( C?27 300K)时,电阻率由 214000Ω降至 0.2Ω3、 光照可以明显改变半导体的导电能力例如:淀积在绝缘体基片上(衬底)上的硫化镉(CdS)薄膜,无光照时电阻(暗电阻)约为几十欧姆,光照时电阻约为几十千欧姆。另外,磁场、电场等外界因素也可显著改变半导体的导电能力。综上:? 半导体是一类性质可受光、热、磁、电,微量杂质等作用而改变其性质的材料。二、课程内容本课程主要解决外界光、热、磁、电,微量杂质等因素如何影响半导体性质的微观机制。预备知识——化学键的性质及其相应的具体结构晶体:常用半导体材料 Si Ge GaAs 等都是晶体固体非晶体:非晶硅(太阳能电池主要材料)晶体的基本性质:固定外形、固定熔点、更重要的是组成晶体的原子(离子)在较大范围里(610 ? m)按一定方式规则排列——称为长程有序。单晶:主要分子、原子、离子延一种规则摆列贯穿始终。多晶:由子晶粒杂乱无章的排列而成。非晶体:没有固定外形、固定熔点、内部结构不存在长程有序,仅在较小范围(几个原子距)存在结构有序——短程有序。§1 化学键和晶体结构1、 原子的负电性化学键的形成取决于原子对其核外电子的束缚力强弱。电离能:失去一个价电子所需的能量。亲和能:最外层得到一个价电子成为负离子释放的能量。(ⅡA 族和氧除外)原子负电性=(亲和能+电离能) 18 . 0 ? (Li 定义为 1)? 负电性反映了两个原子之间键合时最外层得失电子的难易程度。

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